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海外名师大讲堂:Boosting 2D semiconductors with molecules

The already exceptional properties of 2D semiconductors can be further tuned, enriched and enhanced by interfacing them with ad hoc molecules, by mastering principle of supramolecular chemistry. By taking full advantage of the almost unlimited variety of molecules that can be designed and synthesized with functionalities at will, one can engineer 2D semiconductors exhibiting dynamic physical and chemical properties, by imparting them novel functions, with the ultimate goal of generating multifun

时间:2022年10月21日下午15:00-16:30
地点:腾讯会议:197 418 499
主讲人:Prof.Paolo Samorì

青年Talk Show——“科学榜YOUNG”活动

为迎接党的二十大,营造致敬榜样、学习榜样、争当榜样的科学氛围,杭州市科学技术协会、杭州市科技工作者服务中心、杭州青年科技工作者协会携手浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)于7月28日上午推出首期青年Talk Show——“科学榜YOUNG”活动。

时间:2022年7月28日
地点:
主讲人:左立见

当代炼金术——数据驱动材料研发

过去十年,全球新材料产业蓬勃发展,年复合增长率超过20%。而早期的材料研发多基于实验试错式驱动,依赖于经验和理论,需要经历反复实验。造成新材料研发周期长,回报慢,不仅仅是科研界,也是工业届的问题。目前理论驱动(例如热力学)和计算模拟(第一性原理,分子动力学)已经相对成熟,以计算引领,缩小试验范围。而新一代数据驱动研究方法,则由数据+AI的材料信息学所引领。通过AI建立数据间的关系,协同计算机模型和机器学习,预测候选材料。通过数据驱动新材料研发,可以提升研发效率超过70%,其产生的经济效益约2700亿美元/年。 DeepVerse聚焦实验“小数据”和计算“大数据”,通过准确的全方面误差范围分析,助力行业从传统实验“试错式”驱动,升级为理论、计算、数据共同驱动,进行正向预测和逆向设计,为工业届提供以“需求为导向”的完整解决方案,深挖碎片化及不完整数据的最大价值,融合跨领域数据,加速新材料研发技术的产业落地。

时间:2022年7月14日 14:00-15:30
地点:浙大杭州科创中心10 号楼217室
主讲人:刘雨阳 DeepVerse深鱼科技创始人兼CEO

CIS像素pinned二极管满阱容量模型/高光谱分辨率信息传感

满阱容量影响CIS的pinned光电二极管的成像特性,从而影响CIS的信噪比、灵敏度和分辨率等。现有研究只建立了满阱容量依赖于温度、N阱掺杂浓度和波长的模型,忽视了界面态陷阱能级分布对满阱容量的影响。而且现有研究在分析界面态作用时,直接假设陷阱能级为单一固定值,这会造成满阱容量也取得单一固定值。通过建立满阱容量依赖于陷阱能级和陷阱态密度的二维显式函数以及结合陷阱能级和陷阱态密度依赖于陷阱能级分布的特点,进而分析了陷阱能级分别服从Level、Gaussian以及Exponential分布下满阱容量的动态变化。

时间:2022年5月14日 13:30—14:15
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:张钰 教授

微波光子集成及芯片

微波光子技术融合了微波射频技术泛在、灵活和高频谱分辨率的优点以及光子技术宽频带、高速率、低功耗的优点,被认为是解决信息系统面临的速率和能耗瓶颈的关键技术之一。目前,微波光子系统主要采用分立光电子器件,导致整个系统体积大、功耗高和可靠性差等问题。要从根本上解决这些问题,必须利用光电子与微电子集成芯片技术,在芯片层面进行微波光子功能集成。

时间:2022年4月29日 10:30—12:00
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:李明研究员 中科院半导体所

Direct Growth of Regular Nanowire Arrays on Arbitrarily-shaped Surface

The formation of nanowire arrays has been crucial in nanotechnology for decades. Despite remarkable achievements in the fabrication and assembly of nanowires, it remains challenging to grow spatially ordered metallic nanowire arrays with tunable wire width and interwire separation. Besides, a standing magnetic nanowire array has been proposed as a building block of a new type of non-volatile memory with faster information access speed and gigantic memory capacity.

时间:2022年4月29日 09:00—10:30
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:王牧教授 南京大学

Insight into Gate-All-Around Transistors: Challenge and Solutions

围栅晶体管已经成为3nm以下节点集成电路大规模集成的主要器件结构,其挑战不仅在于线宽缩小,在材料、工艺、结构和模型等诸多方面仍然存在瓶颈问题。本报告将从围栅晶体管的基本原理出发,探讨围栅晶体管在特征尺寸持续缩小的情况下面临的技术挑战和相应的解决方案,并进一步讨论围栅晶体管迭代演进的可能路线。

时间:2022年4月20日 10:30—12:00
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:黎明 北京大学

Two-dimensional semiconductor towards inter-tier interconnection integrated circuits

Semiconductor electronic technology in the post-Moore era continues to look for technology solutions to reduce the size of devices to the atomic level, while at the same time new architectures to add more functionalities to the semiconductor devices. Due to its atomic thickness and stackability, two-dimensional (2D) semiconductor materials are expected to get rid of the micro-nano processing procedures of traditional silicon-based semiconductors and realize new semiconductor chip manufacturing

时间:2022年4月22日 10:30—12:00
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:叶堉 北京大学

GaN基VCSEL及新型谐振腔器件研究

GaN基V本报告将主要介绍我们在GaN基VCSEL和谐振腔器件方面的研究成果。CSEL在照明、光显示、神经和细胞医学成像、治疗、海底定位探测等方面有极大的潜在应用前景。GaN基VCSEL于2008年首次获得电泵激射,目前有日亚、松下、索尼和斯坦雷电气等跨国企业和其他科研单位参与到器件的研发,目前所报道的性能已经达到了实用化水平。

时间:2022年4月15日 10:30—12:00
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:张保平 厦门大学

基于钙钛矿异质结构高增益光电探测器

光电探测器是光电子技术在通信和图像传感领域中的重要应用产品。目前,长距离、高速率、大容量光通信系统的广泛应用对探测器的高灵敏度、低噪声、宽光谱响应范围、高线性度及快速响应时间等诸多性能提出了进一步要求。同时,信息社会数据量的爆发性增长也需要更高集成度、更低功耗的芯片化光电器件集成技术。基于传统半导体材料的光电探测器尽管在产品商业化方面表现出较好的成本优势,但也普遍存在灵敏度较低、噪声较高、光谱带宽不足、光学结构设计复杂等缺点。钙钛矿材料制备工艺简单、成本低,同时还集有直接带隙、高吸收系数、长载流子扩散长度、低激子结合能、强缺陷耐受性等优异的光学、电学性质,是构建规模化器件的理想材料。

时间:2022年4月8日 09:00—10:30
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:廖蕾 湖南大学

Atomic-layer-deposited atomically thin In2O3 channel for BEOL logic and memory applications

In this talk, we report on the first demonstration of atomically thin In2O3 channel for logic and memory devices by a back-end-of-line (BEOL) compatible atomic layer deposition (ALD) process. High performance planar In2O3 transistors with high mobility of 113 cm2/V⋅s and record high maximum drain current of 2.5 mA/um are achieved by channel thickness engineering and post-deposition annealing.

时间:2022年4月15日 09:00—10:30
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:Peide Ye Purdue University

光学旋涡:科学与应用

本报告内容以我们组织撰写的一篇纪念光学旋涡(OV)诞生30周年综述文章为主要内容,介绍旋涡光的基本理论、科学内涵、技术发展以及所对应的应用。首先,我们回顾了轨道角动量(OAM)的起源,给出了两种包含光学奇点的典型光学旋涡:轨道角动量(OAM)光束和圆柱矢量光束(CVBs),并介绍两者之间的关联。

时间:2022年4月11日 10:30—12:00
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:袁小聪 深圳大学

Plasmonic Structures with Atomic Precision and Applications Fabricated Using Collapsible Nano-Fingers and Nanoimprint Lithography

Nano-gap structure has attracted great scientific interests. For example, plasmonic nanostructures with nano-gaps concentrate light to a small volume, which can lead to many potential applications. While it is theoretically predicted that the optimal plasmonic hot spot is a gap of less than 1 nanometer between two metallic particles, there is still no manufacturing technology to reliably fabricate it with high-precision and controllability at practical cost.

时间:2022年4月8日 10:30—12:00
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:吴蔚 美国南加州大学教授

原子层沉积技术发展及应用

报告分析了原子层沉积技术的原理、技术特点;提出了原子层沉积技术进一步发展思路,介绍了该技术的创新成果;最后讨论了该技术应用。

时间:2022年4月6日 10:30—12:00
地点:浙大杭州科创中心10号楼217室
主讲人:夏洋 中科院微电子所