报告摘要： 氧化物半导体具有宽禁带、合适的迁移率、低温制备等特点，常用在薄膜晶体管的沟道层中。近年来许多研究工作表明，氧化物半导体可以克服短沟道效应并实现高性能晶体管，同时表现出极低的静态功耗，可制备超低功耗电子器件，为开发下一代半导体提供了思路。氧化铟锡(ITO)是一种高电导，锡掺杂的兼并半导体，相对介电常数比铟镓锌氧化物 (IGZO)或氧化锌(ZnO)低，在实现低功耗超短 沟晶体管方面具有更大潜力，结合超薄的器件 结构和极好的界面质量，可实现基于氧化铟锡 的低功耗高性能电子器件。

报告摘要： 科晶联盟--沈阳科晶自动化设备有限公司拥有涵盖材料切割、研磨、抛光、涂膜、镀膜、混合、压轧、烧结、分析等领域以及相关耗材的上百种产品，可以满足晶体、陶瓷、玻璃、岩相、矿样、金属材料、耐火材料、复合材料、生物材料等制备分析的全套需要。沈阳科晶一直致力于高等院校、研究所、生产企业的科研服务，即产品定位于研究市场，主要面向广大高等院校、科研机构、实验室以及工厂的小规模生产。多年以来，已与全国众多高校、研究院所建立了良好的合作、服务关系。其中北京大学、清华大学、浙江大学、哈尔滨工业大学、东北大学等知名高校，中国科学院金属研究所、上海硅酸盐研究所、中国科学地质与地球物理研究所等科研机构，中国航天工业集团公司、中国船舶重工集团公司、攀钢集团有限公司等著名企业都是长期合作的荣誉客户。 GSL-1800X-ZF4型蒸发镀镆机是一台有机/金属热蒸发沉积镀膜设备，具有有机材料热蒸发-沉积和金属材料热蒸发－沉积成膜两种功能。可适用于金、银、铜、铝、镁等金属材料以及有机材料的蒸镀 成膜。本报告简要介绍该设备的使用环境及工作条件、设 备主要结构及性能等技术参数和特点，设备操作规程和参 数设置，以

报告摘要： 红外探测器在军事、遥感、通信等领域用途广泛，是关系到国防民生的重要光电子器件，然而其大规模应用却受限于复杂的材料生长工艺及器件加工方法，无法满足人工智能、自动驾驶等新兴领域对红外信息不断增长的需求。胶体量子点可以在常压条件下，通过简单化学热注射法大规模合成，并且基于“量子限域”效应，通过调整量子点尺寸对其带隙进行精准调控，极大降低了红外材料的制备成本。此外，胶体量子点可以使用液相加工方法实现与读出电路直接耦合，进一步降低器件成本、缩短器件研制周期。然而目前该体系仍面临输运效率低，掺杂调控难等诸多挑战。我们的工作攻克了胶体量子 点在材料层面与器件层面的诸多难题，实现了高性能红外 中波探测器，短波、中波双色红外探测器，可见光、红外 跨波段探测器，双偏振红外探测器等多种新型红外探测器 ，该工作使量子点红外光电探测技术距离实现产业化又迈 进了重要的一步。

报告摘要： 量子材料是推动第二次量子革命的主要动力。这些材料的量子效应和性质，如量子关联、贝里曲率物理和拓扑结构，可以实现超低能耗的巨大计算能力和超高探测灵敏度。了解和控制新兴量子材料的结构-性能关系，对于发现量子物质的功能相并将其转化为技术进步至关重要。在本讲座主要介绍通过非线性光谱学、超快光谱学和原位电学控制的协同结合来揭示层状量子材料中三个独特的结构自由度是如何实现新奇优异功能特性。首先展示在半导体In2Se3中发现的本征二维平面外铁电性。这种超薄铁电性是基于单原子层内的面外和面内共价键共同锁定，进而可用于新型超薄铁电场效应晶体管，铁电忆阻器的开发。然后介绍通过控制外尔半金属二碲化钨的层间滑动，获得隐藏的拓扑堆积秩序，并操纵相关的量子几何特性，以实现节能的量子存储器应用。最 后，展示Moiré异质结构WS2/MoSe2中的层间扭曲是如何主导量子 激发的非平衡特性的，例如通过时域太赫兹发射光谱学探测的跨 亚纳米范德瓦尔斯界面的超快电荷转移。受这些发现和技术的启 发，简要展望利用二维量子材料中的结构-性能关系和光-物质相 互作用来促进量子信息和能源科学发展的前景。

报告摘要： 石墨烯为单层的碳原子，由于其独特的晶体结构而形成了线性能带，同时，它还具有比表面积大、透光性好等优势，在微电子器件、光电器件以及能源利用方面展现出了良好的应用潜力。本报告将聚焦石墨烯在光电探测器方面的应用，利用石墨烯载流子迁移率高、半金属特性及热载 流子等特点，汇报石墨烯在超快光电探测、异质 结探测器、热载流子辅助探测以及宽谱光电探测 器方面的应用。

报告摘要： 作为近来才兴起的半导体材料，二维半导体因其厚度超薄、韧性优异、表面天然钝化、易于衬底集成、调制手段丰富高效等特性，为推进下一代智能光电器件与集成的研发展现出巨大的潜力。然而二维半导体本征物理属性调制及器件性能调控的物理机制等基础问题尚不清晰，阻碍了器件的发展。因此系统研究此中基础科学问题，将为研发新型二维半导体智能光电器件，以及拓展其在光电智能集成系统中的应用提供科学依据。报告人聚焦于二维半导体及智能光电 器件理论与技术，围绕人工外场可调的二维半导体光电器 件及集成，在新型二维光电传感器、新型二维逻辑运算晶 体管、新型二维非易失存储器等方面开展研究。

报告摘要： 硅基材料和集成工艺是实现大规模集成电路和平板显示最成熟可靠的技术平台，而一维晶硅纳米线则是探索新一代柔性电子、高端显示、生物传感和三维集成等器件应用的理想单元。自组装生长可高效制备尺寸精细、形貌丰富的纳米线沟道，却难以突破精准定位和可靠集成。如何将生长制备的纳米线在平面器件框架中实现精准集成和器件应用，依然是国际上公认的“限制纳米线器件应用之最后一道技术难关”。在本次报告中，我们将介绍一种新的平面固-液-固（IPSLS）生长模式，并以此为基础实现了 “纳米线精准引导、可编程形貌/组分调控、超低温生长、三维 螺旋构架和高密度均匀堆叠沟道等”新技术，从而建立起可规 模集成的纳米线器件应用新平台。此次报告还将汇报晶硅纳米 线丰富的生长调控新机遇，探讨柔性电子器件、生物传感和仿 生纳米机械等新型功能应用。

报告摘要： 探针台介绍 探针台功能 探针台使用方式 探针台维护保养 售后联系

报告摘要：随着基材功能在尺寸上不断缩小，同时复杂性也日益提高，ALD技术对于满足对符合性、原始、高品质薄膜及其接口的严格要求将变得越来越重要。磁控溅射对于半导体研究也相当广泛，对于器件，光学，量子等一系列的应用都不可或缺，本次报告将介绍ALD与磁控溅射的设备结构和工艺的一些原理，还有二维材料，器件等应用的分享。

报告摘要：低维半导体（如二维材料等）具有独特的电子结构、新颖的物理性质、低温异质集成等特点，已成为新型电子、光电子器件的理想材料。其中，缺陷与表界面态问题是影响材料与器件性能以及异质集成的关键因素。本报告中，我们将介绍课题组近年来在低维半导体缺陷与表界面态表征和调控方面的研究进展，包括：利用光谱学手段实现微量缺陷的精确、原位表征，以及对载流子动力学的影响机制分析；通过超低密度等离子体改性技术，实现二维材料发光量子效率提升、单原子层无损刻蚀、离子插层、结构相变等精准调控；提出了界面态束缚与光增益机制，实现了兼具快速与高灵敏特性的硅基-石墨烯异质集成光电探测器，并且具备光强、位置、轨迹等多参量探测功能。

报告摘要：自从2004年石墨烯发现以来，二维材料迅速在国际上引起了基础研究和应用研究的热潮。石墨烯是半金属，在导电添加剂、透明导电膜、导热、复合材料、以及光探测等方面具有应用前景，在电子器件领域替代式核心材料方面目前的应用目标还不明确。2010年以来，以过渡金属硫族化合物为代表的原子层厚度半导体材料引起了另一波研究热潮，有望在未来信息电子器件领域发挥其自身的优势。这种新型的半导体材料具备达到物理极限的厚度，有希望解决目前半导体器件领域内的一些技术瓶颈问题。本报告介绍团队在二维半导体器件应用领域的几个方向上的探索,包括高质量材料的外延技术，以及其在柔性电子学器件、低功耗器件、纵向集成器件、以及超短沟道逻辑器件方面的应用探索。

公司：苏州铟菲半导体科技有限公司

报告摘要：随着集成电路技术进入“后摩尔定律时代”（简称后摩尔时代），为了突破“算力瓶颈”，学术界与工业界认识到，必须在底层的材料、工艺和器件，顶层的系统、架构和电路，以及共性的EDA 等多个层面共同发力。面向未来计算应用，后摩尔时代的研究范式将从能效、复杂度、容错性这三个维度展开，在上述层面协同创新。本报告首先简要介绍整体发展趋势，然后重点介绍经常被忽略的容错性这方面的研究进展，并提出探讨与思考，以抛砖引玉。

报告摘要：随着集成电路技术进入“后摩尔定律时代”（简称后摩尔时代），为了突破“算力瓶颈”，学术界与工业界认识到，必须在底层的材料、工艺和器件，顶层的系统、架构和电路，以及共性的EDA 等多个层面共同发力。面向未来计算应用，后摩尔时代的研究范式将从能效、复杂度、容错性这三个维度展开，在上述层面协同创新。本报告首先简要介绍整体发展趋势，然后重点介绍经常被忽略的容错性这方面的研究进展，并提出探讨与思考，以抛砖引玉。