成果转化

浙江大学杭州国际科创中心5项专利权拟转让，现将相关信息予以公示。

[1] 专利名称：一种具有增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件

专利号：ZL20201510548.2

专利简介：本发提出一种具有增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件，包含多个传统碳化硅MOSFET元胞，以及多个增强可靠性元胞，其结构包含衬底、源极和漏极，还包括第一N型碳化硅区域，位于衬底上方；第一源极区域，包含第一P型体区，第二P型体区和第二N型碳化硅区域，位于所述第一N型碳化硅区域上方；第一隔离栅极区域，位于第一源极区域上方。元胞在第一表面为多边形或圆形布局设计，且增强可靠性元胞内的第一P型体区连为一体。这种结构减小了JFET区域的面积，提高了器件栅氧的可靠性；增加了第一P型体区面积，提高了器件的雪崩耐量；通过连为一体的第一P型体区设计，使得各个元胞第一P型体区的电位相等，有效提升了器件的短路能力。

[2] 专利名称：一种碳化硅沟槽栅MOSFET及其制造方法

专利号：ZL202111239940.2

专利简介：本发明提供了一种碳化硅沟槽栅MOSFET及其制造方法，包括具有第一掺杂类型的衬底，形成在衬底上具有第一掺杂类型的外延层，形成在外延层上方具有第二掺杂类型的外延阱区，形成在外延阱区内具有第一掺杂类型的第一源接触区和具有第二掺杂类型的第二源接触区，沟槽栅，源电极和楼电极，所述沟槽栅包括栅介质和栅电极，其特征在于，所述碳化硅沟槽栅MOSFET包括：包裹在沟槽栅底部的呈凹型的具有第一掺杂类型的注入型电流扩散区，其中所述注入型电流扩散区的底部不高于外延阱区的底部。合理设置注入型电流扩散区，能够限制器件的饱和电流，同时能分离电场峰值和电流位置的位置，降低发热功率，增大器件的短路能力。

[3] 专利名称：一种基于不同栅极结构的MOS管器件

专利号：ZL202111587237.0

专利简介：本发明请公开了一种基于不同栅极结构的MOS管器件，涉及半导体技术领域，包括：第一掺杂衬底；第一掺杂结构，第一掺杂结构和第一掺杂衬底相连接；第二掺杂结构，第二掺杂结构和第一掺杂结构相连接；沟槽栅结构，沟槽栅结构分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接；其中，沟槽栅结构包括栅极和栅介质层，栅介质层设置在栅极的底部和侧壁，栅介质层分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接，栅极设置有对称或非对称的周期性排列结构，有益效果在于在保持元胞尺寸和元胞密度不变的前提下，显著增加沟道的面积，有效降低了器件的沟道电阻，通过不同的栅极结构，避免沟道不均流的现象，且当沟槽栅结构缩减到40nm以下时会出现FinFET效应，从而进一步降低沟道的电阻。

[4] 专利名称：一种二极管及其制造方法

专利号：ZL202111226425.0

专利简介：本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括阴极层、阳极层和二极管本体，二极管本体包括两组以上的衬底层和两组以上的中间层，每两组衬底层之间设置有一组中间层，或每两组中间层之间设置有一组衬底层，二极管本体上开设有一组以上的沟槽，且沟槽贯穿所有中间层，沟槽的侧壁上设置有连接层，具有提高耐压性的优点，突破了二极管在低压下影响正常开通速度的瓶颈。

[5] 专利名称：一种快速开通二极管和制造方法

专利号：ZL202111516626.4

专利简介：本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通二极管和制造方法，包括阴极层、阳极层和衬底层，阴极层和阳极层设置在衬底层的同一表面，且阴极层和阳极层位于同一表面的两端，衬底层上镶嵌设置有第一反型掺杂层，且阳极层连接衬底层与第一反型掺杂层，衬底层上间隔镶嵌设置有若干第二反型掺杂层，衬底层上还设置有若干接触层，接触层连接衬底层与第二反型掺杂层，具有消除电流阻碍的优点，突破了在较低的正向偏压下不能够恢复正向导通能力的瓶颈。

转化方式：转让

定价方式：评估定价

转化价格：243.8万元

公示期自2023年8月6日起至2023年8月21日止。如有异议，请在公示期内向科研发展部提交异议书及有关证据。

联系方式：电话：0571-82990668

邮箱：kczyl@zju.edu.cn

 科研发展部

2023年8月6日