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浙江大学杭州国际科创中心（以下简称杭州科创中心）是新时代杭州市与浙江大学深化全面战略合作的重大项目。为打造一流的人才队伍，杭州科创中心现向全球发布“博士后研究人员招收计划”，首批启动“宽禁带半导体材料与器件”专项，欢迎优秀青年才俊加盟。

专项简介

“博士后研究人员招收计划-宽禁带半导体材料与器件”专项依托杭州科创中心先进半导体研究院实施。研究院由杭州科创中心首席科学家杨德仁院士牵头建设，并拥有一支优秀的学术带头人队伍领衔开展宽禁带材料与器件相关方向的科学研究。

拟重点引进方向

1.宽禁带半导体材料（GaN、SiC、Si基III－V、Ga2O3、Diamond、AlN等）；

2.宽禁带半导体器件（基于SiC、GaN等材料的功率器件）；

3.封装测试（功率器件及其他器件相关的封装、模块集成和测试应用技术）；

4.其它相关领域。

工作地点与薪酬待遇

1.工作地点：杭州。

2.提供有竞争力的市场化薪酬，同步享受省市区和浙江大学人才政策。

3.其他待遇：

（1）提供一流的实验与科研研究条件；

（2）可提供萧山精装修人才公寓；

（3）参与杭州科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴；

（4）从事博士后研究工作3年及以上的人员，可申报浙江大学或杭州科创中心高级专业技术职务资格；

（5）工作期间表现优秀、业绩突出的博士后，符合要求的，可优先推荐申请浙江大学教师岗位或杭州科创中心技术研发岗位。

联系方式

联系人：陈斌

电话：+86-571-82359123

邮箱: hic@zju.edu.cn

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https://pan.baidu.com/s/1x-_P-GTRFbGL62gBDrcLVg

提取码：axz5