采购信息
功率器件静态测试设备采购公示
来源：财务资产部
发布时间：2020-08-19
| 项目名称 | 先进半导体封装测试团队 | ||
| 公示开始日期 | 2020.08.19 | 公示截止日期 | 2020.08.24 |
| 品名 | 功率器件静态测试设备 | 技术参数及配置要求 | 1、测量项目：集电极-发射极阻断电压V(BR)CES 范围：VCE=0～3kV，ICE=0～10 mA；误差：±0.5%；分辨率：VCE=1 V，ICE=0.1 uA。 2、测量项目：集电极-发射极漏电流ICES 范围： ICE=0～10 mA，VCE=0～3 kV；误差：±0.5%；分辨率：ICE=0.1 uA，VCE=1 V。 3、 测量项目：集电极-发射极饱和电压VCEsat 范围：VCE=0～30 V，ICE=0～2000 A；误差：±0.5%；分辨率：VCE=1 mV，ICE=0.1 A/1 A。 4、 测量项目：栅极-发射极阈值电压VGE(th) 范围：VGE=0～10 V，ICE=0.2～2000 mA；误差：±0.5%；分辨率：VGE=5 mV，ICE=0.01 mA。 5、测量项目：栅极-发射极漏电流IGES 范围：IGES=0.002～10000uA，VGE=-100～+100V；误差±0.5%；；分辨率：IGE=10PA，VGE=0.1V 6、 测量项目：二极管阻断电压VRRM 范围：VEC=0～3 kV，IEC=0～10 mA；误差：±0.5%；分辨率：VEC=1 V，IEC=0.1 uA。 7、 测量项目：二极管反向漏电流IR 范围：IEC=0～100 mA，VEC=0～3 kV；误差：±0.5%；分辨率：IEC=0.1 uA，VEC=1 V。 8、 测量项目：二极管饱和电压VF 范围：VEC=0～10 V，IEC=0～2000 A；误差：±0.5%；分辨率：VEC=1 mV，IEC=0.1 A。 9、 温控范围：室温~200℃。 10、样品载台可进行前后、上下运动，使得样品和测试板（DIB）接触和分离。不同封装样品只需更换测试板即可完成测试。 11、DIB上支持桥臂切换和相位切换，以实现不同拓扑电路的功率模块测试需求。 12、适用样品封装：TO220/TO3P/TO247等插件封装以及工业级/汽车级模块封装。 13、温度控制系统：一套；温度控制范围：常温~200℃，温度分辨率：0.1℃。操作软件实时显示加热进度和加热温度。 14、分bin功能，可以进行Software bin和Hardware bin划分，每个测试参数都可以分成0~255个bin值。 15、可连接formfactor探针台进行晶圆测试。 16、用户可以通过SECS/GEM协议在移动端/PC端进行设备的远程监测和控制(远程桌面不算)； 17、测试数据可以实时自动上传到用户指定服务器。 |
| 预算金额 | ¥490,000.00 | 供应商 | 山东阅芯电子科技有限公司 |
| 经办人 | 严辉强 | 联系电话 | 18757180612 |
对以上公示内容有异议的，请于公示截止日前以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式将意见反馈至浙江大学杭州国际科创中心财务资产部（联系电话：0571-82359109；0571-82359101）。
