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自旋电子学将在信息时代超越传统电子学? 来,听听这场诺奖讲座都说了啥
来源:品牌国际部 发布时间:2020-10-14

2020年10月13日下午,浙江大学微纳电子学院联合浙江省科学技术协会(世界青年科学家峰会),北京航空航天大学微电子学院、高等理工学院共同打造了一场别开生面的诺奖讲座。


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Albert Fert教授


围绕“自旋电子学将在信息时代超越传统电子学”的主题,2007年诺贝尔物理学奖得主、自旋电子学的创始人Albert Fert教授通过线上远程的方式,为大家带来了一次科学盛宴。与此同时,浙大杭州科创中心10号楼102室(浙大微纳电子学院智慧教室)还开设了互动线下会场,供师生集体观看视频讲座。据了解,除了浙江大学微纳电子学院的师生,还有30多万观众同步在线观看了这场讲座。


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电子,是世界上最神秘的粒子之一。人类调控电子的电荷属性,发展了以半导体为基础的微电子学,奠定了第三次产业革命的基础。但电子不只带有负电荷,还会“自旋”。1988年,Albert Fert教授发现“巨磁阻效应”后,自旋电子学有了极大的发展。电子自旋这个奇异的特性,是当代磁学的关键字,促成磁性记忆体等重大科技突破,而利用电子自旋属性的开发将成为下一轮量子产业革命的核心技术之一。


Albert Fert教授对为什么要不断突破传统电子学、什么是自旋电子学、经典自旋电子等进行了阐述。他在报告中讲到,新兴的自旋电子学与传统电子学不同,不仅研究电子的电荷,同时也涉及电子的自旋特性。Albert Fert教授向大家介绍了自旋电子学的主要概念和硬盘驱动、M-RAM等率先应用自旋电子学的产品;展示了自旋电子学在提高电子设备性能以及降低现代信息技术所需巨大能源消耗的方式,讲述了STT-MRAM、SOT-MRAM等目前新兴的低能耗自旋电子设备,最后,Albert Fert教授进一步展望了磁性斯格明子和神经形态组件的发展前景。


讲座结束后,Albert Fert教授还与浙江大学微纳电子学院师生等进行了交流互动,对中国学生提出的未来自旋电子学的前景与发展和STT-MRAMs技术等问题作了细致的解答。