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11月3日，2020年度何梁何利基金颁奖大会在北京钓鱼台国宾馆举行。浙大杭州科创中心首席科学家杨德仁院士获本年度“何梁何利基金科学与技术进步奖”。

杨德仁，中国半导体材料专家，中国科学院院士，浙大杭州科创中心首席科学家。主要从事半导体硅材料研究，提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。作为第一完成人，获国家自然科学奖二等奖2项，省科技奖一等奖4项等。

目前，杨德仁院士在浙大杭州科创中心牵头建设宽禁带半导体材料与器件平台，平台以实现我国宽禁带半导体材料与器件技术的自主可控、安全高效发展为目标，建设超净实验室并覆盖宽禁带半导体材料生长、芯片研制、封装测试及应用全技术链条，为我国半导体相关领域的高水平研究和先进产品技术的研发提供服务，力争成为国内先进、国际一流的大型科学研究开放平台。

延伸阅读

据了解，何梁何利基金于1994年设立，由香港爱国金融实业家何善衡、梁銶琚、何添、利国伟先生共同捐资创建，旨在奖励取得杰出成就和重大创新的中国科技工作者，促进科学技术的发展。

该基金设有“何梁何利基金科学与技术成就奖”“何梁何利基金科学与技术进步奖”与“何梁何利基金科学与技术创新奖”。其中，“何梁何利基金科学与技术进步奖”授予在特定学科领域取得重大发明、发现和科技成果者，尤其是在近年内有突出贡献者，按学科领域分设电子信息技术奖、物理学奖等十七类奖项。

该基金每年评奖一次，由专业评审组初评、评选委员会终评，最终以无记名投票方式产生获奖人选。