采购信息

示波器采购公示
来源:财务资产部 发布时间:2021-02-01
项目单位先进半导体研究院
公示开始日期2021年2月1日公示截止日期2021年2月4日
品名示波器技术参数及配置要求一、模拟通道-垂直:
   1.带宽@ 50
Ω
(-3 dB):1 GHz
   2.上升时间(10–90%, 50
Ω
):450   ps
   3.输入通道 4
   4.垂直分辨率 12-bits; 增强分辨率模式(ERES)下达到15-bit
   5.有效比特位: 8.4 bits
   6.垂直本底噪声
     1 mV/div 85:145
μ
Vrms
     2 mV/div 85:145
μ
Vrms
     5 mV/div 90:150
μ
Vrms
     10 mV/div 95:155
μ
Vrms
     20 mV/div 110:185
μ
Vrms
     50 mV/div 210:275
μ
Vrms
     100 mVdiv 360:500
μ
Vrms
     200 mV/div 1.10:1.75 mVrms
     500 mV/div 2.10:2.75 mVrms
     1 V/div:4.90 mVrms
   7.灵敏度 50
Ω
: 1   mV/div–1 V/div, 全面可变
     1 M
Ω
: 1 mV/div–10   V/div, 全面可变
   8.增益精度(DC)(DC精度的增益成分):±(0.5%) F.S, 0 V偏置下
   9.通道隔离度 :DC-200 MHz: 60 dB (>1000:1), 200-500 MHz: 50 dB (>300:1),500   MHz 到标称带宽: 40 dB (>100:1)(对任意两个通道,相同的设置时)
   10.偏置范围 :50
Ω
: 1 mV -   4.95 mV: ±1.6 V, 5 mV - 9.9 mV: ±4 V, 10 mV - 19.8 mV: ±8 V, 20 mV - 1 V: ±10   V
     1 M
Ω
: 1 mV - 4.95 mV:   ±1.6 V, 5 mV - 9.9 mV: ±4 V, 10 mV - 19.8 mV: ±8 V, 20 mV - 100 mV: ±16 V,   
     102 mV - 198 mV: ±80V, 200 mV - 1 V: ±160 V, 1.02 V -10 V: ±400 V
   11.DC垂直偏置精度 :±(1.0% of offset setting + 0.5%FS + 0.02% of max offset + 1mV)
   12.最大输入电压 :50
Ω: 5   Vrms, 1 MΩ: 400 V max   (DC + Peak AC
 10   KHz)
   13.输入耦合 :50
Ω: DC,   GND; 1 MΩ
: AC, DC,   GND;
   14.输入阻抗 :50
Ω± 2.0%;1   MΩ
± 2.0% || 16   pF,
   15.带宽限制 :20 MHz, 200 MHz

 二、水平-模拟通道:
   1.采样模式:实时、滚动、RIS(随机交插采样),顺序模式(标配存储深度最高分成30,000段内存,存储深度选配-L最高分成60,000段内存,存储深度选配-XL最高分成65,000段内存,死区时间降至1
μ
s)
   2.时基范围:标配存储:20   ps/div–5ks/div;(存储深度选项-L-10ks/div,存储深度选项-XL-25ks/div),RIS模式:≤10ns/div;滚动模式:≥100ms/div并且≤5MS/s  
   3.时基精度:±2.5 ppm + 1.0ppm/year from calibration
   4.采样时钟抖动:10ms采集时间范围:280 fsrms(内部时基参考)
   5.通道间抖动:模拟通道:2 psrms(TIE,典型值)
     数字通道:任意两个通道之间350 ps(最大值)
     模拟数字通道:任何模拟通道和数字通道之间<5ns(最大值)
   6.通道间偏移范围:±9x time/div设置,最大100ms,每个通道
   7.外部时基参考(输入):10MHz ±25ppm at 0 到10dBm ,50
Ω
耦合输入
   8.外部时基参考(输出):10MHz 2.0dBm±1.5dBm ,正弦波和示波器时基同步
   9.外部时钟:DC到100MHz;(50
Ω/1M   Ω
),外部使用BNC输入 ,
     低频时需要满足最小上升时间和幅度要求

 三、Acquisition - Analog Channels
   1.采样率(单次): 10 GS/s, 采用增强采样率模式 
   2.采样率(重复):125 GS/s, 可选择用于重复信号(20ps/div-10ns/div)
   3.存储深度: 50 Mpts/Ch (所有通道)
   4.片段间时间:1
μ
S
   5.平均:加权或连续平均100 万次扫描
   6.增强分辨率(ERES):12.5 -15 位垂直分辨率  
   7.包络(Extrema) :包络(Envelope), 地板(Floor), 或屋顶(Roof), 高达100 万次扫描
   8.内插:线性或Sin x/x(2pt和4pt)
     5 or 10 GS/s Enhanced Sample Rate defaults to 2 pt or 4 pt Sin x/x   respectively

 四、数字-垂直和水平采集 (-仅MSO型号 )
   1.输入通道:16数字通道
   2.阈值分组:Pod 2: D15 - D8, Pod 1: D7 - D0
   3.阈值选择:TTL,ECL,CMOS (2.5 V, 3.3 V, 5 V), PECL, LVDS 或者用户自定义
   4.最大输入电压:±30V 峰值
   5.门限精度:±(门限设置的3% + 100mV)  
   6.输入动态范围:± 20V
   7.最小输入电压摆幅:400mV
   8.输入阻抗 :100 k
Ω
|| 5 pF   
   9.最大输入频率:250 MHz
   10.采样率:1.25 GS/s
   11.存储深度:50 MS - 16个通道
   12.最小可侦测脉冲宽度:2 ns
   13.通道之间偏移:350 ps
   14.用户自定义的阈值范围:±10 Vin20 mV 步进
   15.用户自定义的迟滞范围:100 mV 到1.4 V 100mV步进
数量1规格型号HDO6104A
预算金额¥215,000供应商杭州锐冲电子有限公司
经办人陈老师联系电话0571-82395260

 对以上公示内容有异议的,请于公示截止日前以实名书面(包括联系人、地址、联系电话)形式将意见反馈至浙江大学杭州国际科创中心财务资产部(联系电话:0571-823591090571-82359101)。