采购信息
感应耦合等离子体刻蚀系统6寸转换器采购公示
来源：财务资产部
发布时间：2021-03-30
| 项目名称 | 先进半导体研究院 | ||
| 公示开始日期 | 2021年3月30日 | 公示截止日期 | 2021年4月2日 |
| 品名 | 感应耦合等离子体刻蚀系统6寸转换器 | 技术参数及配置要求 | 1、感应耦合等离子体刻蚀系统6寸转换器装置包含如下部件： （1）静电吸附模块（Electrostatic Chuck）； （2）5 PIN针； （3）高压连接线（HV cable）； （4）射频金属带（RF strap）； （5）PIN针动件（PIN lift shaft）； （6）基座（pedestal assembly）。 2、可与感应耦合等离子体刻蚀系统SPTS LPX SYNAPSE设备传输系统兼容，实现6寸碳化硅晶圆的自动传输及工艺功能。 3、可与感应耦合等离子体刻蚀系统SPTS LPX SYNAPSE设备射频模块、真空、气体等系统兼容，正常实现6寸硅、碳化硅、氮化镓晶圆的干法刻蚀工艺。 4、在感应耦合等离子体刻蚀系统SPTS LPX SYNAPSE设备中使用该装置硬件实现如下功能： （1）背电极温度:-20到40℃可调，下电极控温精度和控温均匀性±1℃； （2）采用背氦冷却，具备载片台氦气背冷功能； （3）双极型的有厚介质涂层的ESC（Electrostatic Chuck），ESC（Electrostatic Chuck）具备吸住最厚可达1mm的键合片的能力； （4）可以识别并加工的晶圆包括SiC 晶圆、SiC on sapphire、GaN on SiC、GaN on Si、GaN on Sapphire； （5）传片稳定性要求传片1000片无碎片，圆片传输位置无偏移。 5、在感应耦合等离子体刻蚀系统SPTS LPX SYNAPSE设备中使用该装置可在6寸碳化硅晶圆干法刻蚀工艺上实现如下指标： （1）针对6寸SiC、GaN晶圆的所有刻蚀工艺，片内均匀性WiW：<±5%, (3mm去边)； （2）针对6寸SiC、GaN晶圆的所有刻蚀工艺，片间均匀性WtW：<±5% 与四寸工艺一致，满足SiC穿孔刻蚀、GaN穿孔刻蚀、SiO2刻蚀、SiC沟槽深槽刻蚀、SiC沟槽浅槽刻蚀工艺的刻蚀速率、选择比、形貌、深宽比、侧壁倾角、沟槽线宽等工艺指标。 |
| 数量 | 1 | 规格型号 | SPTS Omega LPX Etch System 6寸转换器 |
| 预算金额 | ¥434,000 | 供应商 | 苏州锦业源自动化设备有限公司 |
| 经办人 | 陈老师 | 联系电话 | 0571-82395260 |
对以上公示内容有异议的，请于公示截止日前以实名书面（包括联系人、地址、联系电话）形式将意见反馈至浙江大学杭州国际科创中心财务资产部（联系电话：0571-82359109；0571-82359101）。
