成果转化

浙江大学杭州国际科创中心2项专利拟许可，现将相关信息予以公示。

[1] 专利名称：一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件

专利号：ZL 202110897827.7

专利简介：本发明公开了一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件，包含衬底、源极、漏极、栅极沟槽、电场屏蔽结构、源极区域和具有第一导电类型的半导体区域，一个或多个位于半导体区域表面下方的具有第二导电类型的电场屏蔽结构，与栅极沟槽的侧壁以一角度相交，源极区域位于栅极沟槽的两侧或周围，被电场屏蔽结构分割成多个源极子区域。本发明通过设置与栅极沟槽侧壁相交的一个或多个电场屏蔽结构，且通过合理布局电场屏蔽结构的排布方式，可以有效减小器件的元胞尺寸，提高沟道密度和器件导通电流密度，降低器件比导通电阻，提高器件导通性能，同时增强电场屏蔽效应，降低栅极氧化层中的电场强度，提高器件长期工作稳定性和可靠性。

[2] 专利名称：一种优化排布的沟槽栅功率MOSFET器件

专利号：ZL202111081863.2

专利简介：本发明提出一种优化排布的沟槽栅功率MOSFET器件，包括：衬底；形成于衬底上方的第一半导体区域，具有第一掺杂类型；互相孤立的沟槽隔离栅结构，形成于所述第一半导体区域上方，所述沟槽隔离栅结构包括栅氧层和栅极；形成于所述互相孤立的沟槽隔离栅结构之间的第二半导体区域和第三半导体区域；以及第一屏蔽区域，形成于第三半导体区域下方，同时连接多个互相孤立的沟槽隔离栅结构。这种结构能大幅降低沟槽栅功率MOSFET器件的元胞尺寸，提升器件的功率密度，能在提升器件通流能力的同时维持栅氧层的可靠性，获得器件性能与可靠性之间的优化与平衡。

转化方式：普通许可

定价方式：协议定价

转化价格：30万元

公示期自2021年11月18日起至2021年12月2日止。如有异议，请在公示期内向项目合作部提交异议书及有关证据。

联系方式：电话：0571-82990668

邮箱：kczyl@zju.edu.cn 

项目合作部

2021年11月18日