成果转化

浙江大学杭州国际科创中心15项专利申请权和专利权拟转让，现将相关信息予以公示。

[1] 专利名称：一种氧化镓晶片表面处理方法

专利号：ZL202111394294.7

专利简介：本发明公开了一种氧化镓晶片表面处理方

法，通过贵金属辅助腐蚀的方法，在室温下，使用贵金属颗粒作为催化剂，氢氟酸、氧化剂和表面活性剂的混合液作为腐蚀剂，使氧化镓晶片表面可以快速地被腐蚀剂溶解，贵金属颗粒在氧化镓晶片表面发生了局部原电池反应，贵金属的功函数更高，在与氧化镓表面接触的时候，空间电荷区域内存在一定的电场，造成能带弯曲，使半导体表面和内部存在电势差，电子被贵金属催化剂从晶体中抽出。尤其在紫外灯的照射下，将加速在氧化镓表面形成电子和空穴对，电子的逸出降低了光生电子空穴对复合的可能，从而促使氧化镓表面空穴聚集区发生了氧化反应，产生氧气，溶液中的氧化剂被还原，Ga离子溶于氢氟酸，完成腐蚀过程。本发明的处理方法可以去除机械加工工序、干刻工序等所造成的晶片损伤层，消除晶片内部应力，制作满足后续工序粗糙度要求且

均匀一致的晶片。

[2] 专利名称：一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法

专利号：ZL202210115954.1

专利简介：本发明提供了一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法，涉及半导体技术领域，本发明以化学腐蚀方法为基础，采用光照提供促进腐蚀过程的电子空穴对，并辅以合适的金属掩膜与氧化剂以实现氧化镓衬底图案化。本发明的一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法在提高图案化精度、提高过程重复性、降低工艺成本等方面具有较大优势，有利于实现规模化、大面积及后续高性能器件的制作，从而为相关器件的应用奠定良好基础。

[3] 专利名称：基于光电化学腐蚀工艺定位氧化镓晶片表面缺陷的方法

专利号：ZL202210631758.X

专利简介：本发明公开了一种基于光电化学腐蚀工艺定位氧化镓晶片表面缺陷的方法，基于光电化学腐蚀工艺在氧化镓晶片内部产生空穴‑电子对，使得空穴‑电子对中的空穴随能带弯曲移动到所述氧化镓晶片表面；并基于所述氧化镓晶片表面的缺陷区域相较于其他单晶区域的不同空穴活跃度，以及缺陷区域内位错线区域易发生的空穴‑电子对复合导致空穴的不同数量和腐蚀坑区域内位错线的位置分布，在所述氧化镓表面形成选择性腐蚀的腐蚀坑和所述腐蚀坑内对应位错线区域的凸起；使得极大地提高了腐蚀速率，具有高效暴露位错优势，且极大降低了反应危险性、降低了反应成本，具有工业化发展前景。

[4] 专利名称：一种氧化镓材料力学性能的测试方法

专利号：ZL 202210885454.6

专利简介：本发明提供了一种氧化镓材料力学性能的测试方法，涉及新一代超宽禁带半导体材料的技术领域，通过依次对氧化镓单晶片进行表面抛光处理、退火处理，来减少氧化镓单晶片的解理纹、层间解理剥离、解理坑等缺陷，解决了所述缺陷在氧化镓材料力学性能的测试中对样品力学性能的干扰的问题，通过先将氧化镓单晶片切割成片状氧化镓样品并放置在承载模的孔洞上方，再一边控制压头向氧化镓样品加负载，使氧化镓样品向孔洞变形直至断裂；一边根据位移传感器测量到的氧化镓样品变形位移以及对应负载，得到氧化镓样品的负载位移测试曲线，解决了现有测试方法中，取值范围较宽以及不能准确评价小尺寸氧化镓单晶片材料的力学性能的缺点。

[5] 专利名称：一种低位错密度氧化镓体块单晶的生长方法

专利号：ZL202110136723.4

专利简介：本发明公开了一种低位错密度氧化镓体块单晶的生长方法，采用泡生法生长晶体的同时以一定的提拉速度向上提拉籽晶，并且通过对籽晶杆进行降温调节温度阶梯，通过对炉内温度梯度的调节来控制晶体生长速度。本发明通过控制加热功率和对籽晶杆进行降温控制晶体生长的温度梯度，从而控制晶体的生长速度，有利于晶体降低热应力，减小晶体开裂，减少晶体内部缺陷密度，有效提高晶体质量，在整个晶体生长过程中以一定的速度进行提拉来增加温度梯度，有利于控制晶体生长。

[6] 专利名称：氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚

专利号：ZL 202111069487.5

专利简介：本发明提供了一种氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚，涉及氧化镓晶体生长的技术领域，通过采用组合坩埚来制备氧化镓晶体，使氧化镓熔体和铱金坩埚不直接接触，避免铱元素进入氧化镓熔体从而影响氧化镓晶体质量的问题，通过抽空炉内原本气体并充入保护性气体来抑制氧化镓的高温分解，同时也解决了采用铱金坩埚进行氧化镓晶体生长时，坩埚的侧壁和底部会出现密集腐蚀坑，导致铱金坩埚损耗严重的问题，最后制得的氧化镓单晶呈透明状，无明显开裂和气泡，相比采用现有方法制得的氧化镓单晶具有较高的晶体结晶质量的优点。

[7] 专利名称：一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法

专利号：ZL202111233712.4

专利简介：本发明提供了一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法，包括：坩埚主体，可拆卸底座，第一套环，第二套环，第一套环与所述坩埚主体之间具有锥度配合，以使得坩埚主体相互闭合。本发明在熔体法晶体生长结束后可以有效的实现坩埚和晶体分离，避免了在取晶阶段对氧化镓晶体的破坏，为大尺寸氧化镓晶体的产业化提供了更优方案。

[8] 专利名称：一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构与方法

专利号：ZL202111306205.9

专利简介：本发明公开了一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构与方法，包括主腔体、第二腔体、加热线圈、保温材料组件以及提拉旋转装置，所述第二腔体设置于主腔体的顶端并与主腔体相通，所述主腔体中心处设有坩埚托与加热坩埚，所述坩埚托下方设有坩埚升降装置；其中，所述第二腔体与主腔体之间设有推拉式挡块装置，用于将第二腔体与主腔体隔绝；所述提拉旋转装置上设有籽晶更换装置；在晶体原料熔融引晶生长前，将籽晶下降至主腔体接触熔体，通过快速放肩，包覆漂浮物生长，然后控制籽晶杆提升至本发明设计中提及的第二腔体内，通过设计的中间隔板装置密封主腔体，更换新的籽晶后重新引晶生长，从而避免熔体表面漂浮物对后续晶体生长产生影响。

[9] 专利名称：一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法

专利号：ZL202111356473.1

专利简介：本发明公开了一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法，涉及直拉单晶设备技术领域，其中，一种单晶炉的铱坩埚加热装置，包括：保温装置，保温装置具有空腔，空腔用于坩埚的放置；第一感应线圈，第一感应线圈用于坩埚的加热；加热组件，包括第二感应线圈和加热片，加热片设于第二感应线圈内，第二感应线圈套设于保温装置的外壁，加热片置于坩埚底部。该坩埚加热装置可以有效解决因原料与坩埚发生反应等原因产生的漂浮物对单晶生长的影响，有效提高单晶生长效率；同时相比于传统的采用机械传动装置去除漂浮物的方法，该坩埚加热装置，由于有效避免了因机械传动装置除渣过程中对熔体温度分布的影响，故无需对热场进行再次的调节，简化了操作步骤，进一步提高了单晶生长效率。

[10] 专利名称：氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法

专利号：ZL202210042869.7

专利简介：本发明公开了一种氧化钱晶体生长装置及晶体生长方法，氧化钱晶体生长装置，包括炉体、籽晶棒提拉装置和漂浮物去除装置，漂浮物去除装置包括升降机构、旋转驱动机构和粘接杆，旋转驱动机构与粘接杆相连并控制粘接杆的旋转,粘接杆下端对准钵金地蜗开口，粘接杆外侧套设有与旋转驱动机构、炉体相连的伸缩管，升降机构与旋转驱动机构相连并控制粘接杆的升降情况,粘接杆上端与籽晶棒提拉装置偏心安装,晶体生长方法包括以下步骤:氧化钱原料的熔化；漂浮物的去除；晶体生长;氧化钱单晶晶体的获取。本发明具有去除氧化钱熔体表面漂浮物使得籽晶顺利与氧化钱熔体接触，保证后续晶体顺利生长,生长出可根据需要切割出任意晶面的氧化钱晶体等优点。

[11] 专利名称：一种制备氧化镓料棒的装置及方法

专利号：ZL202210047059.0

专利简介：本发明涉及一种制备氧化镓料棒的装置及方法，在接近常压的条件下，用气相沉积法制备纯氧化镓或特定掺杂氧化镓料棒；通过将有机的镓料与有机或无机的目标掺杂料和氧气混合，通过燃烧将目标元素掺杂的氧化镓粉末堆积在目标棒上，获得掺杂氧化镓的原料棒。由气相法制备的氧化镓料棒可以避免氧化镓料棒的污染，同时可以实现目标元素的纳米级别掺杂，在后续的晶体生长过程中，使熔体中元素的分布更加均匀分散，进而使掺杂晶体的性能更加的均一稳定。

[12] 专利名称：一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件

专利号：ZL202210441289.5

专利简介：本发明公开了一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件，所述方法包括：1）将固态氧化镓加热至完全熔化，降温至氧化镓的熔点并且保持熔体状态保温30分钟以上；2）将步骤1）得到的所述氧化镓熔体梯度降温直至获得固态氧化镓单晶；所述梯度降温是将步骤1）得到的所述氧化镓熔体按照第一梯度降温至第一温度；再按照第二梯度继续降温至室温，得到氧化镓单晶；所述步骤1）中，从固态氧化镓加热至第一温度起，生长气氛中存在体积分数为2%以上的氧气。本发明得到的体块氧化镓单晶的直径为2英寸以上且厚度为10mm以上；而且省略了下籽晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾、退火等操作，简化了晶体生长过程，降低了晶体生长成本。

[13] 专利名称：一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法

专利号：ZL202210607364.0

专利简介：本发明公开了一种无铱区熔法氧化镓晶体

的生长装置及生长方法。本发明中提及的无铱区熔法属于熔体法生长单晶的方法，不使用贵金属作为发热源，通过外部的发热体发热，热量通过高透过率、高导热性能材料做成的气氛隔离装置，将固体氧化镓多晶料棒或者陶瓷棒加热融

化，然后将籽晶与熔体接触，通过对温度、升降、转速等工艺条件进行控制，使熔融区逐步的上移，进而使远离热场的熔体区按照籽晶晶向进行定向结晶，最终获得大尺寸、高质量、确定晶向的氧化镓单晶。

[14] 专利名称：METHOD FOR GROWING GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL BY CASTING AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL

专利号：US17812186

专利简介：The disclosure provides a method for growing a gallium oxide single crystal by casting and a semiconductor device containing the gallium oxide single crystal. The method includes: 1) heating a solid gallium oxide to complete melting, cooling to a melting point of the gallium oxide, and maintaining a melt state for at least 30 min; and 2) conducting gradient cooling on a gallium oxide melt obtained in step 1) until a solid gallium oxide single crystal is obtained. The gradient cooling is to cool the gallium oxide melt obtained in step 1) to a first temperature according to a first gradient, and then continue cooling to a room temperature according to a second gradient to obtain the gallium oxide single crystal. In step 1), since the solid gallium oxide is heated to the first temperature, oxygen with a volume fraction of at least 2% is present in a growth atmosphere.

[15] 专利名称：鋳造法で酸化ガリウム単結晶を成長させる方法及び酸化ガリウム単結晶を含む半導体デバイス

专利号：特願2022-114917

专利简介：本発明は、鋳造法で酸化ガリウム単結晶を成長させる方法及び酸化ガリウム単結晶を含む半導体デバイスを開示し、その方法は、固体酸化ガリウムを完全に溶融するまで加熱し、酸化ガリウムの融点まで降温させ、且つ溶融物状態のままで３０分間以上保温するステップ１）と、ステップ１）で得られた酸化ガリウム溶融物を固体酸化ガリウム単結晶が得られるまで勾配で降温させるステップ２）とを含み、その勾配で降温させるこ とは、ステップ１）で得られた酸化ガリウム溶融物を第１勾配で第１温度まで降温させ、次に第２勾配で室温まで降温させ続け、酸化ガリウム単結晶を得ることであり、ステップ１）では、固体酸化ガリウムを第１温度まで加熱してから、成長雰囲気中に体積分率２％以上の酸素が存在する。

转化方式：转让

定价方式：评估定价

转化价格：346.8万元

公示期自2022年11月1日起至2022年11月16日止。如有异议，请在公示期内向科研发展部提交异议书及有关证据。

联系方式：电话：0571-82990668

邮箱：kczyl@zju.edu.cn 

科研发展部

2022年11月1日