成果转化

浙江大学杭州国际科创中心4项专利权拟转让，现将相关信息予以公示。

[1] 专利名称：一种碳化硅外延层生长方法

专利号：ZL202210710329.1

专利简介：本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种碳化硅外延层生长方法，通过通入具有第一预定碳源流量的碳源和第一预定硅源流量的硅源，在碳化硅衬底片表面生成第一缓冲层，使得通过对碳硅流量比以及具体通入的碳源流量的调整，促使从碳化硅衬底片延伸出来的贯穿型位错在第一缓冲层的生长过程中转变为层错和基平面位错，并进行横向移动，移出所述晶体的第一缓冲层，从而减少从所述第一缓冲层进入外延层的位错数量，降低外延层中的位错密度，提高了器件性能。

[2] 专利名称：一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法

专利号：ZL202210051840.5

专利简介：本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。

[3] 专利名称：一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命的装置

专利号：ZL202221124529.0

专利简介：本实用新型公开了一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命的装置，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体一端设有通入含氢气体用的进气口，第一腔体另一端与第二腔体相连，第一腔体外侧设有加热线圈，第一腔体内设有摆放碳化硅衬底用的载物台，外延过程中碳化硅外衬底表面形成有碳化硅外延薄膜，第一腔体上靠近进气口位置或第一腔体上对应载物台位置或第二腔体的外侧设置有紫外光源，通过紫外光源照射含氢气体或碳化硅外延薄膜，调整含氢气体或碳化硅外延薄膜中氢原子的带电性，钝化碳化硅外延薄膜上带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级。本实用新型具有在不影响外延生长的前提下实现碳空位的钝化，避免后处理引入新的杂质和缺陷等优点。

[4] 专利名称：一种提高碳化硅晶片少子寿命的退火及光注入装置

专利号：ZL202221124565.7

专利简介：本实用新型公开了一种提高碳化硅晶片少子寿命的退火及光注入装置，包括石英管腔室、光注入腔室、冷却腔室、第一闸板阀和第二闸板阀，通过第一闸板阀的开闭控制石英管腔室和光注入腔室的通断，冷却腔室用第二闸板阀与光注入腔室相连，通过第二闸板阀的开闭控制冷却腔室与光注入腔室的通断，光注入腔室安装有样品推送杆，样品推送杆依次将石英管腔室内的碳化硅外延晶片转移至光注入腔室内预定位置、将光注入腔室内的碳化硅外延晶片转移至冷却腔室上方位置使其落入冷却腔室内，光注入腔室外侧设有紫外光源，光注入腔室设有真空抽气口。本实用新型具有提高碳化硅外延晶片的少子寿命，退火处理后碳化硅外延晶片的冷却速率可调控等优点。

转化方式：转让

定价方式：评估定价

转化价格：114.00万元

公示期自2023年6月16日起至2023年7月1日止。如有异议，请在公示期内向科研发展部提交异议书及有关证据。

联系方式：电话：0571-82990668

邮箱：kczyl@zju.edu.cn

科研发展部

2023年6月16日