成果转化
关于浙江大学杭州国际科创中心1项专利权排他许可的公示
来源：浙江大学杭州国际科创中心
发布时间：2024-11-13
浙江大学杭州国际科创中心1项专利权拟排他许可，现将相关信息予以公示。
[1] 专利名称：一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法
发明人：皮孝东；徐嶺茂；韩学峰；郭浩；徐所成；杨德仁
专利号：ZL202410494355.4
专利权人：浙江大学杭州国际科创中心；杭州乾晶半导体有限公司
专利简介：本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同时，配合第一加热器、第二加热器对第一坩埚、第二坩埚内的温度进行调控，从而实现对生长腔内的轴向温度和半导体晶体生长面的径向温度的调控；与此同时，热屏蔽环的配合，隔绝第二加热器对第一坩埚的热辐射，减少进入第一坩埚的热通量，减小半导体晶体生长面的径向温度梯度，进而提升半导体晶体的厚度和晶体生长质量。
转化方式：排他许可
定价方式：评估定价
转化价格：501.68万元（按照里程碑节点拨付，首笔支付300万元，达到里程碑设置要求之后支付201.68万元）
关联情况：非关联
公示期自2024年11月13日起至2024年11月27日止。如有异议，请在公示期内向科技成果转化部提交异议书及有关证据。
电话：0571-82990668，邮箱：weijian_wang@zju.edu.cn
科技成果转化部
2024年11月13日
