■简要介绍
随着新能源、5G通信、高压电力等领域的快速发展，以氧化镓为代表的第四代半导体凭借其高击穿电场、低能量损耗等优势，成为全球竞争的新焦点。然而，大尺寸单晶制备困难始终制约着氧化镓的产业化发展。2025年3月，杭州镓仁半导体有限公司基于自主创新的晶体生长与加工技术，成功制备全球首款8英寸氧化镓单晶衬底。这项成果不仅填补了国际空白，大幅提升材料利用率和生产经济性，更标志着我国在该领域实现从跟跑到领跑的跨越。未来，镓仁半导体将加速推进氧化镓领域的产业化应用，不断巩固我国在第四代半导体领域的领先优势。
50mm的超厚碳化硅单晶，较现有量产水平提升近一倍，为国内首次实现。该突破将大幅降低衬底成本，为推进大尺寸碳化硅产业化提供了重要技术路径。标志着我国在第三代半导体材料生长领域取得实质性进展。
