万伏级超高压大功率碳化硅电力电子器件

来源：浙江大学杭州国际科创中心发布时间：2025-11-28

■ 简要介绍

牵头承担了国家科技部2023年“新型显示与战略性电子材料”重点专项“面向智能电网的万伏千安级超大功率碳化硅电力电子器件及模块研究”项目，承担了万伏级超高压大功率碳化硅电力电子器件研制的关键任务，实现了超高压终端结构设计、JFET与P well离子注入工艺、大面积芯片良率提升等关键技术的突破，成功研制出阻断电压>12mkV、通流能力30A、比导通电阻117mΩ·cm的大面积SiC MOSFET芯片。基于该芯片的万伏级超高压大功率模块可以应用于电力系统直流断路器、固态变压器等装置，具备显著的工程牵引力与示范引领效应。