埋入式SiC功率模块

来源：浙江大学杭州国际科创中心发布时间：2025-11-28

■ 简要介绍

为充分发挥SiC MOSFET的高频、高温特性，提升其开关性能及散热效率，研发了芯片面朝下埋入式SiC半桥功率模块。通过真空层压、电镀、刻蚀、激光钻孔等技术将功率器件裸芯片内埋于有机基板，并以双面厚铜实现模块电气互连，具有低寄生参数、双面散热、小型轻量等优越性能，能够克服传统键合线封装寄生电感大、散热路径单一等缺点，充分发挥SiC功率器件优势。通过对封装电热特性的综合分析评估，设计的埋入式功率模块总寄生电感小于300pH，开关损耗和结壳热阻分别比传统商用TO-247-3封装降低了23%和35%。