光电异质集成模块

来源：浙江大学杭州国际科创中心发布时间：2025-12-01

■ 简要介绍

实现SOI晶元与薄膜铌酸锂的直接键合。晶圆尺寸达到4英寸和6英寸，为晶元级SOI与薄膜铌酸锂键合奠定工艺基础，研制成功耐受功率>1W的芯片样片，国内首次实现8路激光相控阵共相相干合成实验验证，为远距离激光雷达应用奠定坚实基础。目前团队研发了硅上氮化硅异质集成工艺及平坦化技术，改善了天线的出光质量；结合光学天线设计研发了背向键合工艺，使天线的效率进一步提升（出射效率90%以上）；开发了背向多层电极工艺，实现了波导层的双面布线能力，提升了芯片的电学fanout的能力和集成度；突破了大规模、高密度flip-chip封装工艺，尺寸≤38mmx29mm，极大地降低了封装模块尺寸。