什么是阻变存储器？未来这种新型存储器会给集成电路发展和我们的生活带来什么样的改变？2021年3月1日晚上，“芯”语“芯”愿学术讲座牛年第一场讲座围绕“阻变存储器电路设计及其应用”的主题，在浙大杭州科创中心悄悄拉开帷幕。本次的主讲嘉宾是中国科学院微电子研究所副研究员杨建国博士。
如今，我们的日常生活已经和存储器密不可分，尤其是非易失性存储器。非易失性存储器，简单的说，就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候，里面的数据不会丢失，像大家熟悉的硬盘等外存就属于非易失性存储器。
杨建国告诉大家，当下，嵌入式非易失性存储器（eNVM）在消费电子、自动驾驶汽车、工业控制和物联网边缘设备等领域的SOC芯片中需求非常大，尽管当前嵌入式NOR闪存仍然是主流，但其具有工艺复杂，集成成本高，难以扩展到28nm以下节点等问题。而阻变存储器（RRAM）以其良好的可微缩性、低功耗和与逻辑工艺良好的兼容性，成为一种很有前途的先进工艺节点下嵌入式非易失存储器。阻变存储器要怎么设计？有什么样的潜在应用？这就是杨建国分享的重点。据了解，这种存储器技术，不仅是现在国际关注的焦点，同时也为未来存储器发展提供了一种新的可能。
杨建国告诉大家，集成电路的设计不一定要复杂，但一定要考虑实际应用，解决实际问题。他针对目前存在的技术难点，展开分析论述，从电路设计角度探讨先进工艺节点RRAM的研究进展和发展趋势。他同时还针对RRAM的新型应用，重点介绍了RRAM在硬件安全芯片领域的最新成果。
讲座结束后，现场同学们与杨建国老师进行了深入交流。微纳电子学院19级博士曹继芳说，讲座内容由易到难，层次清晰，从市场现状降到原理知识，提出了一系列产业和学界共同关注的难题，受益匪浅。20级硕士夏靖雯则表示，讲座聚焦集成电路发展的热点方向，让自己了解到现存工艺的普遍工艺尺度及瓶颈的同时，对未来的就业方向也有了更明确规划。
据了解，今后“芯”语“芯”愿系列学术讲座在浙大杭州科创中心启动区块不定期举行，讲座将聚焦集成电路产业与学界关注热点问题，为大家带来实实在在的学术干货。
