黄渊超，博士，特聘研究员，浙江大学科创中心求是科创学者计划入选者。就职于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。2014年毕业于中国石油大学（华东）机电工程学院并获得学士学位，2019年6月于中国科学技术大学获得材料科学与工程博士学位，2020年9月到2022年9月在浙江大学杭州国际科创中心从事博士后研究。主要研究6/8 英寸导电型碳化硅单晶和高纯半绝缘碳化硅单晶的生长。现已主持了浙江省科技厅和浙江大学人才项目等 4 项科研项目。在半导体材料权威 SCI 期刊上发表了 30 余篇论文，其中以第一或通讯作者身份发表了 16 篇高质量 SCI 论文，覆盖了 Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics、Physica Scripta 和 Chinese Physics B 等顶级期刊。
1）Yang Y, Li K, Tong Z, et al. The effect of shear on nucleation and movement of basal plane dislocations in 4H-SiC[J]. Journal of Applied Physics, 2024, 136(4).
2）Yang Y, Tong Z, Pi X, et al. Advances and challenges in 4H silicon carbide: defects and impurities[J]. Physica Scripta, 2024.
3）Huang Y, Jiang X, Deng T, et al. Identifying the charge states of carbon vacancies in 4H-SiC by ab initio metadynamics[J]. Journal of Applied Physics, 2024, 135(13).
4）Huang Y, Wang R, Yang D, et al. Impurities in 4H silicon carbide: Site preference, lattice distortion, solubility, and charge transition levels[J]. Journal of Applied Physics, 2024, 135(19).
5）Wang R, Huang Y, Yang D, et al. Impurities and defects in 4H silicon carbide[J]. Applied Physics Letters, 2023, 122(18).
6）Huang Y, Wang R, Zhang Y, et al. Compensation of p-type doping in Al-doped 4H-SiC[J]. Journal of Applied Physics, 2022, 131(18).
7）Huang Y, Qian Y, Zhang Y, et al. Kick-out diffusion of Al in 4H-SiC: an ab initio study[J]. Journal of Applied Physics, 2022, 132(1).
8）Huang Y, Wang R, Qian Y, et al. Theoretical study on the improvement of the doping efficiency of Al in 4H-SiC by co-doping group-IVB elements[J]. Chinese Physics B, 2022, 31(4): 046104.
9）Huang Y, Wang R, Zhang Y, et al. Assessing the effect of hydrogen on the electronic properties of 4H-SiC[J]. Chinese Physics B, 2022, 31(5): 056108.
