皮孝东，浙江大学硅材料国家重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院双聘教授，博士生导师。2004年在英国巴斯大学获得博士学位，并受颁新颖研究奖章。随后在加拿大麦克马斯特大学和美国明尼苏达大学双城分校从事研究工作。于2008年到浙江大学工作，在2012年由副教授晋升为教授。是中国真空学会理事和中国真空学会电子材料与器件专业委员会副主任委员（2019-2024）、美国物理联合会学术期刊Applied Physics Letters的编辑顾问委员会成员（2017-2022）、英国物理学会学术期刊Nanotechnology的顾问委员会成员（2019-2021）、《半导体学报》青年编委（2021-2023）、国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”项目顾问专家（2019-2023）。

主要从事半导体材料和器件研究。在硅基异质结构及其光电器件如发光二极管、光电探测器和光电神经形态器件研究方面取得了系列进展。近期针对宽禁带半导体发展的迫切需求，启动了以半导体碳化硅为代表的宽禁带半导体的制备、加工、外延和应用研究。曾在Physical Review Letters、Advanced Materials、Materials Science & Engineering R、ACS Nano、Nano Letters、Nano Energy和IEDM等学术期刊和会议上发表了系列研究论文。