任娜 博士
副研究员 | 功率芯片研究室课题组长PI,“青年人才卓越计划”入选者
先进半导体研究院
浙江大学杭州国际科创中心
  • 0571-87951345
  • 杭州市萧山区建设三路733号浙江大学杭州国际科创中心
    • 宽禁带半导体功率器件

个人简介

 
  • 任娜,浙江大学电气工程学院特聘副研究员,博士生导师。2010~2015年期间博士就读于浙江大学电气工程学院,2016~2019年期间在美国加州大学洛杉矶分校做博士后。十年期间一直致力于碳化硅(SiC)电力电子器件的相关研究,其中包括SiC二极管和MOSFET器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向,并取得了一系列研究成果。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表40篇论文,其中SCI论文23篇,获得了3项美国专利,正在申请10多项美国专利和10多项中国专利,并获得2017届电力电子领域最权威的国际学术会议(APEC)的杰出报告奖,担任2018年ECCE国际学术会议的分会场主席。2020年3月双聘至浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院,并入选2020年浙江大学杭州国际科创中心青年人才卓越计划。

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