教授 | 先进半导体研究院院长，功率芯片研究室主任
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盛况，浙江大学求是特聘教授，博士生导师，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长。
1995年获浙江大学电力电子技术学士，1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士，1999-2002年任英国剑桥大学博士后，2008年获美国Rugters大学终身教职；2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导，2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。
长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化，合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司，实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇，引用次数2700次以上，获授权专利20余项（40余项申请中），2010年获浙江省自然科学二等奖，2019年获国家技术发明二等奖。
主要荣誉：
2009年，获国家教育部长江学者
2012年，获国家杰出青年科学基金资助
2013年，获中组部“万人计划”科技创新领军人才
2014年，获中国侨界贡献奖（创新人才）
主要奖项：
2010年，浙江省自然科学二等奖
2019年，国家技术发明二等奖（排二）
主要兼职：
◆国家863主题项目首席专家
◆国家863计划先进能源技术领域新型电力电子技术主题专家组专家（召集人）
◆国家重点研发计划项目负责人
◆International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics（ISPSD，国际功率器件及集成电路年会）技术委员会主席，2015
◆International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics（ISPSD，国际功率器件及集成电路年会）大会主席，2019
◆IEEE高级会员
◆Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics
◆Associate Editor, IEEE Transactions on Industrial Applications
◆中国电源学会常务理事、元器件专委会副主任
研究成果：
◆ 最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）
◆ 提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管
◆ 提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了性能位于国际前列的芯片
◆ 基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器
◆ 合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等
◆ 研究成果在国际顶级学术期刊发表论文270余篇，引用次数2700次以上
◆ 获授权发明专利20余项（40余项申请中）
◆ 获得国家技术发明二等奖、浙江省自然科学二等奖各一项