论文目录

2022年

21. W. H. Geng, G. Yang, X. Q. Zhang, X. Zhang, Y. Z. Wang, L. H. Song, P. L. Chen, Y. Q. Zhang, X. D. Pi, * D. R. Yang, R. Wang, * Identification of subsurface damages of 4H-SiC wafers by combining photo chemical etching and molten alkali etching, Journal of Semiconductors.

     .    

20. Z. Jin, Y. Y. Liu, N. Xia,* X. W. Guo, Z. J. Hong, H. Zhang,* D. R. Yang, Wet etching in β-Ga2O3 bulk single crystal, CrystEngComm, 2022, 24, 1127. DOI: 10.1039/d1ce01499d.

   

      


19. X. S. Liu, J. R. Zhang, B. J. Xu, Y. H. Lu, Y. Q. Zhang, R. Wang,* D. R. Yang, X. D. Pi,* Deformation of 4H-SiC: the role of dopants, Applied Physics Letters, 2022, 120, 052105. DOI: 10.1063/5.0083882.

.     


18. Y. C. Huang, R. Wang,* Y. Q. Zhang, D. R.Yang, X. D. Pi,*  Assessing the effect of H on the electronic properties of 4H-SiC, Chinese Physics B, 2022. DOI: 10.1088/1674-1056/ac4234.

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17. Y. C. Huang, R. Wang,* Y. X. Qian, Y. Q. Zhang, D. R.Yang, X. D. Pi,* Theroretical study on the improvement of the doping efficiency of Al in 4H-SiC by co-doping group IVB elements, Chinese Physics B, 2022. DOI: 10.1088/1674-1056/ac20ca.

       




2021年


16. H. Luo, X. F. Han, Y. C. Huang, D. R. Yang, X. D. Pi,*   Numerical simulation of a novel method for PVT growth of SiC by adding a graphite block, Crystals, 2021, 11(12), 1581. DOI: 10.3390/cryst11121581.

           

15. K. Q. Li, Y. J. Cheng,* M. F. Dou, W. Zeng, S. Volz, S. Y. Xiong,* Tuning the anisotropic thermal transport in (110) silicon membranes with surface resonances, Nanomaterials, 2022, 12, 123. DOI: 10.3390/nano12010123.


14. S. Zhou,* S. C. Zhu, J. H. Guan, R. Wang, W. Zheng, P. Q. Gao,* X. H. Lu,* Confronting the air instability of cesium tin halide perovskites by metal ion incorporation, Journal of Physical Chemistry Letters, 2021, 12, 45, 10996-11004. DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c03170.


13. Z. C. Hu, L. H. Song, D. H. Lin, Q. Y. He, X. J. Zhang, Y. M. Cai, L. X. Fang, S. He, W. C. Hsu, X. G. Yu,* D. R. Yang,* Carrier injection and annealing enhanced electrical performance in tunnel oxide passivated contact silicon solar cells, Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2021, 2100614. DOI: 10.1002/pssa.202100614.


12. L. H. Song,* Z. C. Hu, L. X. Fang, Y. M. Cai, S. He, H. Y. Huang, W. C. Hsu, X. G. Yu,* D. R. Yang, Performance improvement of gallium doped PERC solar cells by two-step bias application, Solar. RRL, 2021, 2100738. DOI: 10.1002/solr.202100738.

         



11. Y. F. Zheng, L. Huang, B. Y. Li, R. Wang, S. H. Wei,* Origin of the improved performance of Cu(In,Ga)(S,Se)2 solar cells by postdeposition treatments: effect of band offsets, Physical Review Applied, 2021, 15, 064036. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.15.064036.


10. M. Lan, R. Wang, Z. H. Yang, X. F. Wang, S. Sun, S. H. Wei,* Enhancing magnetic dipole emission in Eu-doped SrMO(M=Ti,Zr,Hf): First-principles calculations, Physical Review B, 2021, 103, 245201. DOI: 10.1103/PhysRevB.103.245201.

 

9. P. J. Wang,* D. R. Yang, X. D. Pi,* Toward wafer-scale production of 2D transition metal chalcogenides, Advanced Electronic Materials, 2021, 2100278. DOI: 10.1002/aelm.202100278.

    



8. R. Wang, M. Lan, Y. F. Zheng, J. X. Yang, B. Y. Li, S. H. Wei,* Interface engineering of Cu(In,Ga)Se2 solar cells by optimizing Cd- and Zn-chalcogenide alloys as the buffer layer, ACS Applied Materials and Interfaces, 2021, 13, 13, 15237-15245. Doi: 10.1021/acsami.1c00708.


    

.    

 

7. R. Wang,* J. X. Xu, S. Y. Zhang, Y. Zhang, P. H. Zheng, Z. Cheng, L. Zhang, F. X. Chen, X. D. Tong, Y. Zhang, W. Tan,* Reducing the reverse leakage current of AlGaN/GaN heterostructures via low-fluence neutron irradiation, Journal of Materials Chemistry C, 2021, 9, 3177. DOI: 10.1039/d0tc05652a.


          


6. R. Wang, M. Lan, S. H. Wei,* Enhanced performance of Se-alloyed CdTe solar cells: The role of Se-segregation on the grain boundaries, Journal of Applied Physics, 2021, 129, 024501. DOI: 10.1063/5.0036701.


     


5. L. Zhang, R. Wang, Z. Liu, Z. Cheng, X. D. Tong, J. X. Xu, S. Y. Zhang, Y. Zhang,* F. X. Chen, Regulation of hole concentration and mobility and first-principle analysis of Mg-doping in InGaN grown by MOCVD, Materials, 2021, 14(18), 5339. DOI: 10.3390/ma14185339.


4. 张序清, 罗昊, 李佳君, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东,* 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究进展, 人工晶体学报, 2021. DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20211222.003.




3. 张玺, 王蓉, 张序清, 杨德仁, 皮孝东,* 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势, 中央民族大学学报 (自然科学 版), 2021, 30(4), 5-12.


2. 罗昊, 张序清, 杨德仁, 皮孝东,* 碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展, 人工晶体学报, 2021, 50(8), 1562-1574. 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210707.001.



1. 开翠红, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东,* 基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延, 人工晶体学报, 2021, 50(9), 1780-1795. DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210820.008.



学术会议

王芸霞, 沈典宇, 杨德仁, 皮孝东,* 一种新型的真空系统冷阱结构, 真空学术会议, 2021.


卢慧, 王昊霖, 杨德仁, 皮孝东,* 半导体碳化硅表面重构的STM研究, 真空学术会议, 2021.


沈典宇, 李佳君, 王芸霞, 杨德仁,* 皮孝东, 真空管式高温碱腐蚀装置及其在碳化硅位错研究中的应用, 真空学术会议, 2021.




专利目录

发明专利

先进半导体材料实验室专利目录-发明专利

序号

专利类型

专利名称

专利号

申请状态

1

发明专利

一种碳化硅晶体的生长工艺

ZL2021105442342

已授权

2

发明专利

一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法

ZL2021105514285

已授权

3

发明专利

一种低位错密度氧化镓体块单晶的生长方法

2021101367234

审查中

4

发明专利

一种IVB族原子(Ti/Zr/Hf)和铝共掺制备低阻p型4H-SiC的方法

ZL2021103565615

已授权

5

发明专利

一种碳化硅单晶的制备方法

2021104741686

审查中

6

发明专利

一种SiC晶圆及其外延层结构的综合测试方法

202110475968X

审查中

7

发明专利

一种二维材料制备方法

2021104836332

审查中

8

发明专利

一种二维材料制备方法

2021105941336

审查中

9

发明专利

一种利用铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含所述氧化镓单晶的半导体器件

2021106334275

审查中

10

发明专利

一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置

2021108595034

审查中

11

发明专利

一种有序手性分子链制备方法及SiC器件衬底

2021108912462

审查中

12

发明专利

低微管密度碳化硅单晶制备方法及碳化硅单晶

2021110196653

审查中

13

发明专利

一种高纯碳化硅制备方法及对应的高纯碳化硅

2021111492601

审查中

14

发明专利

高纯碳化硅源粉制备方法

2021110676218

审查中

15

发明专利

一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构

2021111031728

快速预审

16

发明专利

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚

2021110694875

审查中

17

发明专利

一种垂直电流孔径晶体管制备方法及对应器件

ZL2021110849700

已授权

18

发明专利

一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法

2021112337124

审查中

19

发明专利

一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离法及剥离装置

ZL2021113449714

已授权

20

发明专利

碳化硅晶圆体寿命图像生成方法,系统及存储介质

2021113473978

审查中

21

发明专利

碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法,系统及存储介质

2021113454657

快速预审

22

发明专利

一种基于光刻蚀的n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置

2021114908430

快速预审

23

发明专利

一种制备p型4H-SiC单晶的坩埚结构,装置与方法

ZL2021114531400

已授权

24

发明专利

一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构

2021113062059

审查中

25

发明专利

一种氧化镓晶片表面处理方法

2021113942947

审查中

26

发明专利

一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法

2021113564731

审查中

27

发明专利

一种碳化硅籽晶粘接方法

2021113715939

审查中

28

发明专利

一种优化碳化硅自净表面初期成核的方法

202111385909X

审查中

29

发明专利

一种碳化硅腐蚀设备

2021114208081

审查中

30

发明专利

一种碳化硅研磨设备

2021114207750

审查中

31

发明专利

一种GaN基器件隔离的方法

2021113763129

审查中

32

发明专利

一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置

2021116544335

审查中

33

发明专利

一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置

2021115358029

审查中

34

发明专利

碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法,系统及存储介质

2021115277125

审查中

35

发明专利

碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法,系统及存储介质

2021115288810

审查中

36

发明专利

一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置

ZL2021114900833

已授权

37

发明专利

碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法

2021115011140

审查中

38

发明专利

一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法

202111643917X

审查中

39

发明专利

低缺陷碳化硅外延材料制备方法

2021116547070

审查中

40

发明专利

一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备

2022100133737

审查中

41

发明专利

一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法

2022100518405

审查中

42

发明专利

一种制备氧化镓料棒的装置及方法

ZL2022100470590

已授权

43

发明专利

氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法

ZL2022100428697

已授权

44

发明专利

一种导电型碳化硅衬底加工方法

2022100440646

审查中

45

发明专利

一种半导体材料退火装置及退火方法

2022100440627

审查中

46

发明专利

芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置

ZL2022101159452

已授权

47

发明专利

一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法

2022101159541

审查中

48

发明专利

与扫描探针显微镜联合系统的快速定位方法、系统

202210156964X

审查中

49

发明专利

一种适用于半导体缺陷定位的扫描探针显微镜

2022101543048

审查中

50

发明专利

一种碳化硅晶片腐蚀化系统

2022102005254

审查中

51

发明专利

一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法

2022102145531

已授权

52

发明专利

一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片的方法

2022102385963

审查中

53

发明专利

一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉

202210257835X

审查中

54

发明专利

一种保持碳化硅单晶生长温度的方法

202210245207X

审查中

55

发明专利

一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置

ZL2022102447885

已授权

56

发明专利

一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置

 2022103383791

审查中

57

发明专利

一种纳米柱阵列的制备方法

  待知识产权局确定

审查中

58

发明专利

一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置

待知识产权局确定

审查中

59

发明专利

Ge掺杂抑制4HsiCk器件双极性退化的方法

待知识产权局确定

审查中

60

发明专利

一种检测缺陷演变的方法及装置

待知识产权局确定

审查中

61

发明专利

一种掺杂缓解SiC单晶面型参数的方法

2022105512725

审查中

62

发明专利

一种生长高质量碳化硅晶体的装置及方法

待知识产权局确定

审查中

63

发明专利

基于提拉法的双温区单晶生长装置及方法

待知识产权局确定

审查中

64

发明专利

一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法

待知识产权局确定

审查中

实用新型

先进半导体材料研究室专利目录-实用新型

序号

专利类型

专利名称

专利号

申请状态

1

实用新型

一种单晶生长真空系统的冷阱装置

ZL2021210696306

已授权

2

实用新型

一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置

ZL2021209441414

已授权

3

实用新型

一种固定碳化硅籽晶的装置

ZL2021209134172

已授权

4

实用新型

一种生长碳化硅单晶的坩埚结构

ZL2021209158745

已授权

5

实用新型

一种二维材料制备装置

ZL2021209308687

已授权

6

实用新型

一种二维材料制备装置

ZL2021211765182

已授权

7

实用新型

一种碳化硅腐蚀设备

ZL2021217177220

已授权

8

实用新型

一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置

ZL2021217328714

已授权

9

实用新型

一种PVT法生长碳化硅单晶改善气氛流向的装置

ZL2021223616691

已授权

10

实用新型

一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置

ZL2021222311291

已授权

11

实用新型

一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置

ZL2021222312171

已授权

12

实用新型

一种密封性高的石英管密封结构及石英管

ZL2021222321039

已授权

13

实用新型

一种碳化硅籽晶的固定结构

ZL2021222976261

已授权

14

实用新型

一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置

ZL2021223515262

已授权

15

实用新型

一种改善粉源温场的坩埚结构

ZL2021233752175

已授权

16

实用新型

一种半导体材料退火装置

ZL2022200977609

已授权

17

实用新型

一种碳化硅衬底加工装置

ZL2022200977562

已授权

18

实用新型

一种碳化硅腐蚀设备

2022201543984

审查中

19

实用新型

一种二维材料生长设备

2022206777004

审查中

20

实用新型

多片半导体晶片的腐蚀装置

待知识产权局确定

审查中

21

实用新型

一种提高碳化硅晶片少子寿命的退火及光注入装置

待知识产权局确定

审查中

22

实用新型

一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命的装置

待知识产权局确定

审查中

23

实用新型

一种半导体单晶衬底腐蚀装置

待知识产权局确定

审查中