先进半导体研究院聚焦宽禁带半导体领域的国际前沿和重大科学问题，瞄准国家在信息、能源等领域的重大战略需求，依托长三角区域领先的产业优势、浙江大学雄厚的科研实力和杭州科创中心创新的体制机制，打造一个国内领先、国际先进的前沿技术创新研发平台，推动产学研深度融合发展。研究院由杭州科创中心首席科学家杨德仁院士牵头建设，学术委员会主任由郑有炓院士担任，院长由盛况教授担任。研究院将集中建设超净实验室和宽禁带半导体材料生长、芯片研制、封装测试及应用的先进研发设施和大型仪器设备。
青年人才卓越计划
一、重点引进方向
（一）宽禁带半导体材料（包括但不限于以下方向）
1.碳化硅单晶的生长
2.碳化硅薄膜的外延
3.碳化硅中的杂质和缺陷
4.碳化硅的电化学
5.碳化硅的表面及界面
6.碳化硅的新颖原型器件
7.氮化镓薄膜的外延
8.半导体金刚石单晶薄膜的生长
9.氧化镓单晶的生长
10.氧化镓中的杂质和缺陷
11.宽禁带半导体材料与二维材料的前沿交叉
12.宽禁带半导体材料的制备和加工设备
（二）宽禁带半导体器件（包括但不限于以下方向）
1.碳化硅功率器件
2.氮化镓功率器件
3.氧化镓功率器件
4.其他宽禁带功率器件
5.单芯片集成技术
6.多芯片集成技术
7.芯片散热技术
8.能量收集技术
9.宽禁带传感技术芯片
10.其他宽禁带技术等
（三）封装测试和应用（包括但不限于以下方向）
1.功率器件的封装
2.其他相关器件的封装
3.模块集成
4.测试技术和应用技术
二、申报条件
1.具有远大学术志向、创新精神、较强科研能力和社会责任感；
2.已获得博士学位，年龄原则上不超过35周岁，特别优秀者年龄条件可适当放宽；
3.具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣，对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法，从事过交叉学科研究者优先考虑；
4.具备以独立PI开展研究工作的能力；
5.有宽禁带材料与器件领域院士或国际知名专家推荐者优先考虑；
6.原则上要求至少有1站博士后或两年工作经历。
三、待遇及保障条件
1.提供有竞争力的薪酬保障（一人一议），符合条件者可同步享受杭州市和萧山区相应的人才政策；
2.为入选者及其团队成员提供人才公寓，符合条件者可享受科创中心人才房政策；
3.提供首期（3年）300-500万元的科研资助（可持续滚动资助）；
4.提供100-150 m2办公实验空间；
5.提供“专人一站式”服务，共享科研平台大型仪器设备；
6.入选者中科研业绩突出且符合浙江大学人才标准的，可推荐聘至浙江大学。
7.符合杭州市有关规定的，协助解决杭州市集体户口。
四、申请材料
1.
浙大杭州科创中心青年人才卓越计划申报表-宽禁带材料与器件平台.docx；
2.代表性成果附件（如：期刊和会议论文、专著、授权发明专利、会议特邀学术报告等）。
申请人将以上材料电子版发送至邮箱：hic@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“青年人才+姓名+宽禁带半导体材料与器件平台”标明。
联系人：王老师
电话：0571-82990657
邮箱：hic@zju.edu.cn
地址：浙江省杭州市萧山区建设三路733号浙江大学杭州国际科创中心