先进半导体研究院聚焦宽禁带半导体领域的国际前沿和重大科学问题，瞄准国家在信息、能源等领域的重大战略需求，依托长三角区域领先的产业优势、浙江大学雄厚的科研实力和杭州科创中心创新的体制机制，打造一个国内领先、国际先进的前沿技术创新研发平台，推动产学研深度融合发展。研究院由杭州科创中心首席科学家杨德仁院士牵头建设，学术委员会主任由郑有炓院士担任，院长由盛况教授担任。研究院将集中建设超净实验室和宽禁带半导体材料生长、芯片研制、封装测试及应用的先进研发设施和大型仪器设备。
一、重点引进方向
（一）宽禁带半导体材料（包括但不限于以下方向）
1.碳化硅单晶的生长
2.碳化硅薄膜的外延
3.碳化硅中的杂质和缺陷
4.碳化硅的电化学
5.碳化硅的表面及界面
6.碳化硅的新颖原型器件
7.氮化镓薄膜的外延
8.半导体金刚石单晶薄膜的生长
9.氧化镓单晶的生长
10.氧化镓中的杂质和缺陷
11.宽禁带半导体材料与二维材料的前沿交叉
12.宽禁带半导体材料的制备和加工设备
（二）宽禁带半导体器件（包括但不限于以下方向）
1.碳化硅功率器件
2.氮化镓功率器件
3.氧化镓功率器件
4.其他宽禁带功率器件
5.单芯片集成技术
6.多芯片集成技术
7.芯片散热技术
8.能量收集技术
9.宽禁带传感技术芯片
10.其他宽禁带技术等
（三）封装测试和应用（包括但不限于以下方向）
1.功率器件的封装
2.其他相关器件的封装
3.模块集成
4.测试技术和应用技术
二、申请条件
1. 近三年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；
2. 保证全职从事博士后研究工作；
3. 具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等学科背景和科研经验，从事过交叉学科研究者优先考虑；
4. 具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
5. 具有良好的英语听说读写能力；
6. 近三年内以第一作者发表1篇以上有一定影响力的研究论文，研究成果突出者优先考虑。
三、待遇及保障条件
1. 原则上税前年薪不低于40万元（含地方政府人才补助），具体面议；
2. 出站后留在科创中心工作的，可享受杭州市、萧山区政府相应人才政策（详细内容见文末）；
3. 对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区财政分别给予相应配套资助；
4．提供萧山区人才公寓或科创中心公寓；
5．提供一流的实验与科学研究条件；
6. 参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴；
7．在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；
8．工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请浙江大学教师岗位或科创中心技术研发岗位。
9. 符合杭州市有关规定的，协助解决杭州市集体户口。
四、申请材料
1. 
浙江大学杭州国际科创中心博士后研究人员岗位申请表.doc；
2. 能表明研究能力和学术水平的成果（如获奖情况、成果鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料。
申请人将以上材料电子版发送至邮箱：hic@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“宽禁带半导体材料与器件平台+博士后+姓名”标明。