25日上午，宽禁带半导体材料与器件平台建设启动会议在杭州科创中心举行。浙江大学党委常委、副校长王立忠，萧山区投资促进局局长骆军，杭州科创中心首席科学家、中国科学院院士杨德仁，中心主任王靖岱，中心党工委书记傅方正参加会议。
王立忠副校长对宽禁带半导体材料与器件平台建设工作表示肯定。在讲话中他要求，杭州科创中心要明确平台的定位与目标，重视学科源头，协同萧山区营造好产业化氛围，建立有效的管理运营机制，做好杭州科创中心的文化建设，并希望平台与研究院在未来半导体研究中发挥更大作用，努力打造成为国内一流、国际领先的创新平台，助力杭州科创中心全球顶尖科技创新中心建设。
杨德仁院士宣读了先进半导体研究院成立文件。聘任郑有炓院士担任先进半导体研究院学术委员会主任，杨德仁院士担任副主任，盛况教授担任研究院院长，郁发新教授担任首席架构师。同时，成立平台建设工作小组。
王靖岱主任介绍了宽禁带半导体材料与器件平台的基本情况。他表示，宽禁带半导体材料与器件平台的建设直面国家在高端半导体芯片领域的重大战略需求，平台建设计划投入5.5亿元资金，建设总面积达4470平方，目前已有9位双聘人员正式投入工作，希望经过5年建设后平台能够达到200人规模。
盛况院长与郁发新首席架构师分别介绍了研究院与平台目前工作进展及2020年度工作计划。他们表示，宽禁带半导体材料与器件平台是将材料、芯片、封装测试全部环节有机联动的创新平台，近期目标是打造“宽禁带半导体材料与器件”浙江省重点实验室，未来还将引入产学研合作企业，建成杭州科创中心-企业联合实验室。接下来，研究院与平台将持续引育包括院士等在内的各类顶尖人才，同步开展设备采购、空间建设等工作。
会议后，王立忠副校长还实地走访考察了杭州科创中心启动区块建设情况。