近日，浙大杭州科创中心先进半导体研究院和浙江大学硅材料国家重点实验室紧密合作，采用提拉法成功生长了科创中心和浙江大学第一根体块氧化镓单晶，这是在中心首席科学家杨德仁院士指导下取得的半导体材料生长领域又一个阶段性成果。
氧化镓是新一代的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、透过范围大、击穿电场强度高、物理化学性质稳定、器件功耗小等优点，在高压高功率电子器件和日盲紫外光电器件等领域有重大应用价值，是宽禁带半导体材料碳化硅和氮化镓的重要补充。此外，氧化镓是宽禁带半导体领域中少数可以采用熔体法生长单晶的材料，具有低成本、大规模生产的可能性。在国内外众多科研机构的重点研发下，氧化镓正处于应用领域大规模增长初期，目前布局氧化镓、研究氧化镓材料生长有着重要的战略意义。
浙大杭州科创中心先进半导体研究院系统开展宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件以及封装测试等方向研究，旨在解决我国半导体领域的迫切需求和“卡脖子”问题。研究院将在首席科学家杨德仁院士的带领下力争取得半导体领域新的突破。
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