副研究员 | 功率芯片研究室 PI，“青年人才卓越计划”入选者
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杭州市萧山区建设三路733号浙江大学杭州国际科创中心
- 宽禁带半导体功率器件
- 任娜，浙江大学电气工程学院特聘副研究员，博士生导师。2010~2015年期间博士就读于浙江大学电气工程学院，2016~2019年期间在美国加州大学洛杉矶分校做博士后。十年期间一直致力于碳化硅（SiC）电力电子器件的相关研究，其中包括SiC二极管和MOSFET器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向，并取得了一系列研究成果。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表40篇论文，其中SCI论文23篇，获得了3项美国专利，正在申请10多项美国专利和10多项中国专利，并获得2017届电力电子领域最权威的国际学术会议（APEC）的杰出报告奖，担任2018年ECCE国际学术会议的分会场主席。2020年3月双聘至浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院，并入选2020年浙江大学杭州国际科创中心青年人才卓越计划。