应聘要求
1. 具有博士学位，品学兼优，身心健康；
2. 具有材料、物理、化学等学科背景；
3. 近三年曾作为第一作者至少发表了1篇具有一定影响力的研究论文；
4. 具有良好的英语听说读写能力；
5. 近五年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；
6. 熟悉碳化硅（SiC）的缺陷工程的表征技术者优先。
研究方向
宽禁带半导体材料碳化硅的缺陷工程与杂质调控
方向1，探索碳化硅材料中缺陷与杂质的基本性质
碳化硅生长过程中会产生位错，层错等多种缺陷，需要对这些缺陷的基本性质进行表征并阐明其原理。
方向2, 探索碳化硅材料中缺陷与杂质的检测方法
寻找科学的检测方法来表征碳化硅材料中的缺陷与杂质以及他们的生长机理。
方向3, 探索碳化硅材料中缺陷与杂质的消除或钝化方法
寻找碳化硅材料中缺陷与杂质的有效消除或钝化方法并阐明其机理。
待遇
1. 选择进入博士后工作站的研究人员原则上税前年薪不低于40万元人民币（含地方政府人才补贴），具体面议；获得国家自然科学基金、中国博士后科学基金和省级博士后科研项目资助者，杭州市、萧山区财政给予相应的配套资助；博士后出站后留科创中心工作，可享受杭州市、萧山区政府安家补助。
2. 提供一流的实验与科学研究条件。
3. 提供萧山区人才公寓或科创中心公寓。
4. 符合杭州市有关规定的，协助解决杭州市集体户口。
5. 在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务。
6. 符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。
申请材料
1. 个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等；
2．表明申请人研究能力和学术水平的成果（如学术论文、专利、获奖情况等）。
研究组简介
宋立辉“科创百人计划”研究员 （求是科创学者）
2011年毕业于浙江大学光电信息学院和新南威尔士大学光伏与可再生能源学院并获得双学士学位，2015年9月于澳大利亚新南威尔士大学获得博士学位，师从国际知名硅材料研究学者Stuart Wenham教授。随后在杭州电子科技大学任职讲师。2020年1月成为杭州电子科技大学副教授。2021年加入浙江大学杭州国际科创中心。近五年通过国家自然科学基金，澳大利亚Arena基金，浙江大学开放课题等项目资助，发表SCI论文20余篇，其中第一作者及通讯作者14篇，长期受邀担任 《Progress in Photovoltaics》，《Solar energy》，《Silicon》, 《Applied surface science》 等SCI期刊的审稿人。本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。该研究室在著名半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任为皮孝东教授。浙江大学杭州国际科创中心是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台，是浙江省打造“互联网+”、生命健康和新材料三大科创高地的重大标志性工程。目前科创中心先进半导体研究院正发展具有从材料到系统集成的全链条研发能力，拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施。
联系方式
联系人： 宋老师
邮箱：songchengwan@sina.com或者396107933@qq.com