应聘要求
1. 具有博士学位，品学兼优，身心健康；
2. 具有材料、物理、化学等学科背景；
3. 近三年曾作为第一作者至少发表了1 篇具有一定影响力的研究论文；
4. 具有良好的英语听说读写能力
5. 近三年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；
6. 熟悉CFD理论以及掌握一种编程方法或有开源CFD程序开发经验者优先。
研究方向
宽禁带半导体材料与设备模拟计算
方向1,碳化硅单晶生长过程计算
碳化硅生长过程中热场，电磁场，流场以及化学反应的模拟计算。
方向2, 氧化镓单晶生长过程计算,
直拉法制备氧化镓过程中热场，流场以及杂质分布的模拟计算。
方向3, 碳化硅外延生长过程计算,
碳化硅外延生长过程中流场、热场，外延生长速率及化学反应的模拟计算。
待遇
1. 选择进入博士后工作站的研究人员原则上税前年薪不低于40万元人民币（含地方政府人才补贴）；获得国家自然科学基金、中国博士后科学基金和省级博士后科研项目资助者，杭州市、萧山区财政给予相应的配套资助；博士后出站后留科创中心工作，可享受杭州市、萧山区政府安家补助（杭州市博士后补贴政策
http://www.hangzhou.gov.cn/art/2020/5/21/art_1229051319_6951.html ；
萧山区人才补贴政策：
https://xsrb.xsnet.cn/epaper/html/2020-09/29/content_79498_12443370.htm）。
2. 参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴。
3. 提供一流的实验与科学研究条件。
4. 提供萧山区人才公寓或科创中心公寓。
5. 符合杭州市有关规定的，协助解决杭州市集体户口；
6. 在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务。
7. 符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。
申请材料
1. 个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等；
2．表明申请人研究能力和学术水平的成果（如学术论文、专利、获奖情况等）；
研究组简介
韩学峰“科创百人计划”研究员 （求是科创学者）
2010年毕业于北京化工大学材料科学与工程学院并获得学士学位，2016年2月于韩国首尔大学（SNU）获得材料科学工程博士学位，随后在首尔大学新素材研究所（RIAM）做博士后研究。2016年7月在日本九州大学应用力学研究所做博士后研究，师从国际知名晶体生长学者Koichi Kakimoto教授。2020年受聘于法国原子能和替代能源委员会（CEA）,于法国格勒诺布尔阿尔卑斯大学（UGA）从事博士后研究，师从JCG编辑Thierry Duffar教授。 2021年加入浙江大学杭州国际科创中心。近五年通过参与韩国，日本以及法国政府多项研究课题，参加晶体生长相关国际学术会议13次，韩国，日本国内学术会议二十余次。发表SCI论文17篇，其中第一作者及通讯作者9篇，长期受邀担任 《Journal of Crystal Growth》，《Japanese Journal of Applied Physics》，《Crystal Research and Technology》, 《Crystals》 等SCI期刊审稿人。本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。该研究室在著名半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任为皮孝东教授。浙江大学杭州国际科创中心是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台，是浙江省打造“互联网+”、生命健康和新材料三大科创高地的重大标志性工程。目前科创中心先进半导体研究院正发展具有从材料到系统集成的全链条研发能力，拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施。
联系方式
联系人： 韩老师
邮箱：hanxuefeng0459@sina.com