2021年12月11日，浙江大学杭州国际科创中心(以下简称“浙大科创”)联合浙江大学硅材料国家重点实验室、电力电子应用技术国家工程研究中心和微纳加工平台举办“半导体碳化硅材料与器件青年研讨会”，促进青年专家学者交流合作，分享相关领域最新研究进展与发展趋势。本次研讨会严格落实疫情防控要求，采用线上为主、线下结合的方式举行，邀请11位专家学者做报告。来自全国各地的126名专家学者参加研讨会。
浙大科创首席科学家杨德仁院士、先进半导体研究院院长盛况教授分别在开幕式上致辞，鼓励专家学者以本次研讨会为契机，增强交流合作，共同推动我国半导体碳化硅事业的快速发展。
在碳化硅半导体材料的研究进展方面，专家学者就各自的研究进行分享：
山东大学的彭燕副教授分享了山东大学在8英寸碳化硅衬底研发以及位错研究方面的科研进展；东莞天域半导体科技有限公司的孔令沂博士介绍了天域在碳化硅外延工艺开发、缺陷控制、清洗工艺等方面的研发进展，并对碳化硅外延工艺的发展进行了展望；中国科学技术大学的许金时教授介绍了硅空位、双空位、NV色心等点缺陷在自旋相干操控中的应用，并介绍了原型器件的开发与应用；来自中科院苏州纳米所的张璇副研究员介绍了碳化硅中的基平面位错的基本性质、缺陷调控及其与双极型器件性能退化的关联。来自浙大科创的韩学峰、王蓉、宋立辉研究员分别介绍了碳化硅单晶生长过程中隔热层老化对单晶性质的影响、碳化硅中点缺陷及位错性能调控、碳化硅表面缺陷态的表征等方面的科研进展。
在碳化硅器件的研究进展领域，专家学者也就各自的研究进行分享：
瑞能半导体科技股份有限公司的崔京京研究员分享了瑞能半导体在碳化硅功率器件领域的研发进展，并展望了推动碳化硅器件市场快速增长的关键技术；剑桥大学的王珩宇博士介绍了碳化硅超级结器件的研发进展，该器件可以突破碳化硅半导体器件的一维理论极限，实现了碳化硅功率器件性能的跃升；来自浙大科创的任娜、邓天琪研究员分别介绍了碳化硅功率器件的可靠性技术研发进展和碳化硅中载流子的散射与输运。
嘉宾们的精彩分享在线上及线下引起了热烈讨论，大家就各自研究领域纷纷进行了跨专业交流，在进行技术探讨的同时为行业升级建言献策，助力碳化硅半导体技术发展！