一、课题组简介
主要负责人简介：王蓉，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。长期从事宽禁带半导体中的杂质与缺陷研究。主持国家自然科学基金青年科学基金项目、中国博士后科学基金面上项目、科学挑战计划专题等科研项目，作为学术骨干参与浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划。发表学术论文50余篇（其中第一/通讯作者24篇），获授权专利12项。
二、重点引进方向:
碳化硅基外延结构的制备及应用：
1. 碳化硅同质外延及表征测试；
2. 碳化硅外延薄膜的生长动力学研究；
3. 基于碳化硅同质外延薄膜的电子、光学器件研究。
碳化硅中杂质与缺陷研究：
1. 碳化硅的掺杂物理；
2. 碳化硅中缺陷（如点缺陷、位错、层错、晶界）的产生及演变机理；
3. 碳化硅中杂质与缺陷的电子、光学性质；
4. 半导体单晶生长、加工及相关过程的分子动力学仿真。
三、申请条件:
1.近三年内已获得或即将获得物理、材料、微电子、光电等相关专业的博士学位；年龄不超过35周岁；
2.品学兼优，身心健康，具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
3.近三年内以第一作者或通讯作者发表 2 篇以上高质量研究论文或专利；
4.能够全职从事博士后工作。
四、待遇及保障条件:
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；
2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；
3.提供一流的实验与科学研究条件；
4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；
5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；
6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。
五、申请材料:
1.个人简历；
2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；
3.博士学位论文。
申请人将以上材料电子版发送至科创中心先进半导体研究院邮箱：rong_wang@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“王蓉课题组+博士后+姓名”标明。