一、课题组简介
实验室简介: 实验室简介: 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室专注于宽禁带半导体材料相关的基础研究，重点突破以碳化硅、氧化镓和金刚石为代表的宽禁带半导体的生长、加工、外延及成套装备，解决一系列宽禁带半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动宽禁带半导体材料的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。研究室以中科院院士杨德仁教授、皮孝东教授为学术带头人，已有成员50多人。拥有中国科学院院士1人、浙江大学和浙江大学杭州科创中心双聘教授2人、科创百人5人、博士后和技术开发专家21人，工程师13人，博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等国际期刊发表SCI论文40余篇，申请国家发明专利70余项，其中授权12项，申请实用新型专利30余项，其中授权17项。
主要负责人简介：宋立辉，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。2010年本科毕业于浙江大学，2011-2015年在澳大利亚新南威尔士大学完成研究生学习，取得博士学位。2016-2021年任职于杭州电子科技大学，担任副教授。宋立辉博士长期从事先进光伏技术（晶硅方向），第三代半导体材料（碳化硅方向）的研究。近年来，在Prog in photovoltaics、Solar rrl、Solar energy materials and solar cells、Solar energy、Appl. Phys. Lett.等国际知名期刊发表论文50余篇。完成晶硅太阳能电池方向英语学术专著2本, 授权中国发明专利3项，国际（多国）发明专利6项，其中国际发明专利“Advanced hydrogenation of silicon solar cells”（主要发明人之一）广泛应用于生产领域，取得数百亿元经济效益。主持国家自然科学基金项目、浙江省基础科研经费项目等多项科研基金。此外，担任Prog in photovoltaics、Solar energy materials and solar cells, Solar energy等国际知名期刊的审稿人。
二、重点引进方向:
宽禁带半导体材料碳化硅的缺陷工程与杂质调控（满足其一即可）
方向1，探索碳化硅材料中缺陷与杂质的基本性质；
方向2，探索碳化硅材料中缺陷与杂质的检测方法；
方向3，探索碳化硅材料中缺陷与杂质的消除或钝化方法；
方向4，探索碳化硅材料的辐照效应和抗辐照研究。
三、申请条件:
1. 具有博士学位，品学兼优，身心健康；
2. 具有材料、物理、光电、化学等学科背景；
3. 近三年曾作为第一作者至少发表了1篇具有一定影响力的研究论文；
4. 具有良好的英语听说读写能力；
5. 近五年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；
6. 熟悉碳化硅（SiC）的缺陷工程的表征技术者优先。
四、待遇及保障条件:
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；
2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；
3.提供一流的实验与科学研究条件；
4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；
5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；
6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。
五、申请材料:
1.个人简历；
2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；
3.博士学位论文。
申请人将以上材料电子版发送至科创中心先进半导体研究院邮箱： songlihui @zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“宋立辉课题组+博士后+姓名”标明。