一、课题组简介
实验室简介:实验室简介: 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室专注于宽禁带半导体材料相关的基础研究，重点突破以碳化硅、氧化镓和金刚石为代表的宽禁带半导体的生长、加工、外延及成套装备，解决一系列宽禁带半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动宽禁带半导体材料的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。研究室以中科院院士杨德仁教授、皮孝东教授为学术带头人，已有成员50多人。拥有中国科学院院士1人、浙江大学和浙江大学杭州科创中心双聘教授2人、科创百人5人、博士后和技术开发专家21人，工程师13人，博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等国际期刊发表SCI论文40余篇，申请国家发明专利70余项，其中授权12项，申请实用新型专利30余项，其中授权17项。
主要负责人简介：韩学峰，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。2010年毕业于北京化工大学材料科学与工程学院并获得学士学位，2016年2月于韩国首尔大学（SNU）获得材料科学与工程博士学位，随后在首尔大学新素材研究所（RIAM）展开博士后研究。2016年7月在日本九州大学应用力学研究所从事博士后研究，师从国际知名晶体生长学者Koichi Kakimoto教授。2020年受聘于法国原子能和替代能源委员会（CEA）,于法国格勒诺布尔阿尔卑斯大学（UGA）从事博士后研究，师从JCG编辑Thierry Duffar教授。 2021年加入浙江大学杭州国际科创中心。通过参与韩国，日本以及法国政府多项研究课题，参加晶体生长相关国际学术会议14次，中、日、韩国内学术会议二十余次。发表SCI论文18篇，其中第一作者及通讯作者10篇，长期受邀担任 《Journal of Crystal Growth》，《Japanese Journal of Applied Physics》，《Crystal Research and Technology》, 《Crystals》 等SCI期刊审稿人。
二、重点引进方向:
宽禁带半导体材料与设备模拟计算
方向1： 碳化硅单晶生长过程计算
碳化硅生长过程中热场，电磁场，流场以及化学反应的模拟计算；
方向2：碳化硅外延生长过程计算
碳化硅外延生长过程中流场、热场，外延生长速率及化学反应的模拟计算；
方向3：碳化硅材料分子尺度计算（KMC, MD）；
碳化硅晶体生长过程中晶核分布和结晶方向等微观尺度模拟计算。
三、申请条件:
1. 具有相关学科背景，包括微集成电路、微电子、材料、物理、电子科学与技术等相关专业、从事过交叉学科研究者优先考虑；
2. 近三年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；
3. 具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
4. 具有良好的英语听说读写能力；
5. 保证全职从事博士后研究工作。
四、待遇及保障条件:
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；
2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；
3.提供一流的实验与科学研究条件；
4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；
5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；
6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。
五、申请材料:
1.个人简历；
2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；
3.博士学位论文。
申请人将以上材料电子版发送至先进半导体研究院邮箱：xuefenghan@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“韩学峰课题组+博士后+姓名”标明。