一、课题组简介
实验室简介: 实验室简介: 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室专注于宽禁带半导体材料相关的基础研究，重点突破以碳化硅、氧化镓和金刚石为代表的宽禁带半导体的生长、加工、外延及成套装备，解决一系列宽禁带半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动宽禁带半导体材料的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。研究室以中科院院士杨德仁教授、皮孝东教授为学术带头人，已有成员50多人。拥有中国科学院院士1人、浙江大学和浙江大学杭州科创中心双聘教授2人、科创百人5人、博士后和技术开发专家21人，工程师13人，博士占比54%。研究室成立至今在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Applied Physics Letters、ACS Applied Materials and Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、 Journal of Materials Chemistry C、Advanced Electronic Materialsl等国际期刊发表SCI论文40余篇，申请国家发明专利70余项，其中授权12项，申请实用新型专利30余项，其中授权17项。
主要负责人简介：邓天琪，求是科创学者（“科创百人计划”研究员），浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。2011年毕业于中国科学技术大学物理学院，2016年毕业于新加坡南洋理工大学（NTU）材料科学与工程学院并获得博士学位。随后分别在新加坡南洋理工大学及新加坡科技研究局（A*STAR）高性能计算研究院（IHPC）展开博士后研究，2021年加入浙江大学杭州国际科创中心，2021年获浙江省海外高层次人才计划支持。近三年发表SCI论文17篇，其中第一作者7篇，发表于<J. Phys. Chem. Lett.>、 <Phys. Rev. B>、 <Materials Horizons>、 <npj Computational Materials>、 <Advanced Materials>、 <J. Mater. Chem. A>等国际知名专业期刊。
二、重点引进方向:
1.针对碳化硅等宽禁带半导体及其缺陷的电、热、力学与自旋性质开展独立研究；
2.结合实际应用需求，开展学术调研、理论研究和计算模拟；
3.在相关研究基础上发表学术论文、撰写专利、申报科研项目。
三、申请条件:
1.近三年内已获得或即将获得物理、材料、化学、微电子等相关专业的博士学位；年龄不超过35周岁；
2.品学兼优，身心健康，具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；
3.近三年内以第一作者或通讯作者发表 2 篇以上高质量研究论文或专利；
4.能够全职从事博士后工作。
四、待遇及保障条件:
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；
2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；
3.提供一流的实验与科学研究条件；
4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；
5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；
6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。
五、申请材料:
1.个人简历；
2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；
3.博士学位论文。
申请人将以上材料电子版发送至科创中心先进半导体研究院邮箱：dengtq@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“邓天琪课题组+博士后+姓名”标明。