为促进半导体材料杂质与缺陷研究相关青年科研人员之间的学术交流，加强国内外高校与科研机构之间的学术合作，2022年11月18日，浙江大学杭州国际科创中心(以下简称“科创中心”)先进半导体研究院举办“半导体材料杂质与缺陷青年学术会议”，促进青年学者交流合作，拓宽青年学者的科研视野，丰富青年学者科研成果，推动青年人才间的交流合作。本次会议采用线上为主、线下结合的方式举行，邀请16位专家学者做报告。海内外100多名专家学者参加研讨会。
科创中心先进半导体研究院副院长皮孝东教授在开幕式上致辞，鼓励青年学者以本次研讨会为契机，增强交流合作，在半导体材料杂质与缺陷调控理论与技术领域寻求新的突破。
在半导体材料杂质与缺陷研究进展方面，专家学者就各自的研究进行分享：
浙江大学的原帅副研究员分享了铸造单晶缺陷控制的科研进展；西安交通大学的李早阳副教授分享了晶体生长的动态磁场调控机理研究方面的研发进展；山东大学的穆文祥副教授介绍了关于氧化镓单晶生长方面的研究；来自江苏大学的苏文佳副教授介绍了晶体生长中传热传质的数值模拟研究；天津理工大学的齐小方博士介绍了顶部籽晶溶液SiC单晶生长的工艺探索进展；新加坡高性能计算研究院的陈帅研究员介绍了二维材料生长机理的多尺度模拟研究；名古屋大学的刘鑫助理教授介绍了准单晶硅的机器学习优化与多尺度模拟研究进展；西安交通大学的罗金平副研究员介绍了硅晶体生长过程中杂质与点缺陷的输运及形成机理研究；中山大学的石文副教授介绍了具有更高热电性能的有机半导体的分子路线图；东京大学的大西正人助理教授分享了面向热管理的应变工程；新加坡国立大学的铉丰源博士介绍了空穴掺杂单层WSe2中的能谷塞曼效应增强；新加坡材料工程研究院的Ady Suwardi研究员分享了碲化锗的相变、电输运与热输运的研究进展。
来自科创中心的韩学峰、王蓉、黄渊超、邓天琪研究员分别介绍了PVT法生长SiC单晶过程传热传质模拟研究、氮掺杂4H碳化硅中的位错行为模拟、4H碳化硅的p型掺杂、半导体材料中的载流子散射和输运模拟等方面的科研进展。
半导体器件的性能很大程度上取决于半导体材料的质量，掺杂与缺陷的调控则是决定半导体材料质量与性能的关键因素。本次会议的顺利举办，能够为半导体材料质量与性能的提升构建更加广泛的合作空间和更加科学、严谨的交流互动平台，更能为进一步加强与企业、高校、科研院所之间的交流与合作提供助力，促进半导体产业的发展。