2025年7月25日，长三角科研院所联盟成员大会暨2025年度工作会议在上海长三角技术创新研究院召开。长三角地区是我国改革开放的前沿阵地，也是经济活力最强、开放程度最高、创新能力最突出的区域之一。长三角科研院所联盟成立于2022年8月，在国家科技部与沪苏浙皖三省一市政府部门指导下，由上海科学院、上海长三角技术创新研究院、江苏省产业技术研究院、浙江大学杭州国际科创中心、安徽省科学技术研究院共同发起。
在大会上，浙江大学杭州国际科创中心方磊副主任受邀发布面向智能电网应用的高压碳化硅功率器件技术。该技术由浙江大学与浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院联合研制，基于这款10kV等级SiC MOSFET芯片的万伏级超高压大功率模块，可以应用于电力系统直流断路器、固态变压器等装置，具备显著的工程牵引力与示范弓领效应，是我国实现高端电力电子“弯道超车”的关键技术突破口。
当日下午，“长三角科研院所联盟成员大会——超宽禁带功率半导体产业”分论坛顺利召开。本次分论坛由长三角科研院所联盟指导、长三角集成电路关键共性技术（服务）平台主办，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院承办。本次分论坛以“宽芯互链・智创未来”为主题，旨在搭建“产学研用”深度对话平台，由6名先进半导体研究院科研一线的专家，同时也是孵化企业代表，分享超宽禁带半导体科研成果发展和产业化实践经验，与参会嘉宾共同探讨产业链协同发展的关键路径、核心技术的突破性进展以及新兴应用市场的巨大潜力，全方位勾勒出产业升级的破局之道，为产业未来贡献了集体智慧，充分彰显了产业链协同创新的活力，为超宽禁带半导体开拓新市场注入强劲动能。
分论坛由浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长吴新科主持，浙江大学杭州国际科创中心科研发展部苏传令副部长致辞，强调了超宽禁带功率半导体产业在推动长三角地区科技创新与产业升级中的关键作用，成功引导会议聚焦于产业链各环节的紧密联动与价值共创，为后续议程确立了开放共享、合力破局的坚实主调。
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究员王蓉率先带来“碳化硅薄膜外延及缺陷调控”主题分享，深入介绍了碳化硅超厚外延薄膜进展情况，揭示了致命形貌缺陷的产生与演变机理，及其诱生缺陷对器件可靠性的潜在影响。通过开发外延后处理技术，抑制致命形貌缺陷诱生缺陷的扩张，为提升碳化硅材料质量提供了重要发展路径。
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究员、浙江材孜科技有限公司总经理徐嶺茂聚焦“碳化硅单晶生长与产业化”，结合浙江材孜实践发展，介绍了碳化硅单晶生长的最新技术进展及产业化应用情况，并针对碳化硅单晶应用痛点，详细解释通过提拉式物理气相传输法显著降低碳化硅单晶成本，为推动碳化硅产业规模化发展提供了宝贵经验。
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院研究员、杭州镓仁半导体有限公司技术专家金竹则带来“铸造法高质量氧化镓单晶研究”的精彩内容，展示镓仁半导体基于自主开发的铸造法，成功制备8英寸衬底，成为国际首个掌握8英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司；未来将建设全球首条氧化镓万片级产线，开展包含HVPE，MOCVD等氧化镓外延技术研究。通过研究铸造法氧化镓中的缺陷，进一步增大氧化镓单晶尺寸并提高晶体质量，为超宽禁带半导体材料的发展开辟了新路径。
杭州芯逐半导体有限公司运营总监成骥围绕“面向智能电网应用的高压碳化硅功率器件技术”进行技术分享，结合智能电网的应用需求，详细阐述了芯逐公司开发出的3300V SiC MOSFET、10kV SiC MOSFET等碳化硅功率器件的技术成果与应用前景，引发了在场嘉宾对产业应用落地的广泛关注。
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院技术开发专家闫海东分享的“低温烧结技术及其宽禁带半导体封装应用”，破解传统硅基封装对SiC MOSFET性能的桎梏，基于Cu-Clip互连架构与低温铜烧结技术的协同创新，实现高可靠低温成型互连；攻克功率模块性能瓶颈，凭借低寄生电感、高导热性与优异均流特性的三重优势，显著提升电气性能与功率密度；解析封装技术落地路径，深度探讨SiC模块封装设计与低温铜烧结工艺的关键技术要点。聚焦封装环节的关键技术突破，为提升宽禁带半导体器件的性能与可靠性提供了重要支撑。
杭州晶驰机电有限公司总经理郭森以“碳化硅、金刚石、氮化铝半导体材料核心装备一体化解决方案”为题，从装备角度探讨了超宽禁带半导体产业的发展瓶颈与突破方向，结合晶驰机电业务体系、碳化硅、金刚石及氮化铝的长晶及外延设备等核心技术发展，为产业链上下游协同发展提供了新思路。
专家学者与企业领袖们不仅分享了最新研究成果和宝贵实践经验，更就技术瓶颈突破、产业生态构建、市场准入策略等关键议题展开了务实且富有建设性的对话。现场观众提问踊跃，互动频繁。普遍反馈这种高浓度的思想交流和务实互动收获巨大，对推动产业协同创新与拓展市场边界具有重要的现实指导意义。至此，本次分论坛会议圆满落下帷幕。不仅集中展示了长三角地区在碳化硅、氧化镓等第三代半导体领域从材料、装备到器件、封装及应用的全链条创新实力，为超宽禁带半导体产业链搭建了一个高规格的交流平台。相信随着超宽禁带半导体技术的持续演进与应用场景的深化开拓，产业必将迎来更为广阔的发展空间。我们期待更多产业力量的汇聚与协作，共同把握机遇，破解挑战，加速技术突破与产业化进程，推动长三角乃至全国超宽禁带半导体产业迈向更高质量、更具创新活力的新阶段。