12月26日，萧山区成功举办第二届产才融合高质量发展大会。会上，国家第三代半导体技术创新中心电力电子器件基础研究与人才培养创新基地（以下简称“创新基地”）正式揭牌，标志着由浙江大学杭州国际科创中心承载的国家级创新平台正式迈入实质性建设新阶段。
创新基地将依托科创中心“产学研用”一体化创新体系，围绕国家战略需求和浙江省产业布局，聚焦电力电子器件前沿研究和高层次人才培养，着力突破关键核心技术瓶颈，为我国半导体技术自主可控与产业高质量发展提供坚实支撑。
揭牌仪式上，国家第三代半导体技术创新中心处长张志国与浙江大学杭州国际科创中心党工委书记董世洪共同为创新基地揭牌。基地的落地，不仅是国家战略科技力量在长三角布局的重要支点，也是科创中心服务国家战略、赋能省市产业升级的关键性跃升。
作为该创新基地的核心建设载体，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院深度融入国家战略科技力量体系，已建成国内首个全链条宽禁带半导体创新平台，形成了全链条产业链创新生态，为创新基地的可持续发展奠定了坚实基础。
展望未来，基地将重点面向人工智能、新能源、智能电网、高端装备等领域的重大需求，持续强化基础研究、聚力关键技术、加速科技成果转化，全力推动我国半导体产业实现从“跟跑”“并跑”乃至“领跑”的跨越，为科技强国建设注入强劲动能。
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国家第三代半导体技术创新中心（简称“国创中心”）是科技部按党中央部署，于2021年3月批复建设的国家级科技创新平台。国创中心聚焦半导体全链条七大环节，以关键技术研发为核心使命，遵循“一体统筹规划、多地分布布局、协同创新联动”原则，联合五省六市构建起“1个中心总部+6个区域平台”的协同布局。成立三年来，累计投入83.25亿元，建成20个集研发、中试、示范应用、概念验证于一体的创新平台，在半导体装备、材料、电力电子、射频电子、光电子领域取得全面技术突破。在装备领域，多项技术达到国际先进水平，国内首发高温高能离子注入，研发出国际首套专用材料表征系统，SiC芯片制造装备已实现批量落地应用；在材料领域，攻克多款国际领先核心衬底，全球首发12吋SiC高纯半绝缘衬底样品；国创中心SiC器件全谱系批量产出超5000万只，射频技术为国防建设和民品产业保驾护航，国内市占率稳第一，有力支撑新一代移动通信等千亿级产业发展，为我国半导体产业高质量发展注入了强劲动能。 浙江大学杭州国际科创中心（以下简称“科创中心”）成立于2019年2月28日，是新时代杭州市和浙江大学全面深化市校合作共建的重大创新平台。科创中心强化集成电路、合成生物、先进材料、仪器装备等四大生态圈建设，多年来深耕集成电路和半导体领域，已建成涵盖20个创新平台的科研矩阵，联动50余家龙头企业落地500余项产研项目，催生200余家科技型企业及40余家科学家企业，构建起完整的创新生态。其先进半导体研究院建成国内首个全链条宽禁带半导体创新平台，攻克6英寸100mm厚SiC晶锭生长技术，掌握8英寸碳化硅晶锭和衬底制备、全球首发8英寸氧化镓单晶和衬底、万伏级碳化硅MOSFET器件产业化技术等关键核心技术，相关成果入选2025年“中国第三代半导体技术十大进展”和浙江省重大科技成果。目前，已形成“1个国家平台＋2个省部级平台＋6个联合实验室＋1个产业联盟＋10家孵化企业”全链条产业链创新体系。 |