浙江大学杭州国际科创中心5项专利申请权拟转让，现将相关信息予以公示。
[1] 专利名称：一种碳化硅单晶的制备方法
专利号：ZL202110474168.6
专利简介：本发明公开了一种碳化硅单晶的制备方法，利用碳和硅直接生长合成碳化硅单晶，省去了中间的碳化硅源粉合成步骤，通过本发明的方法生长碳化硅单晶，不仅可以大大降低一次完整长晶的成本，而且由于省去了中间程序，避免了氮气的二次污染使之晶体质量较传统PVT法提高很多。
[2] 专利名称：一种SiC晶圆及其外延层结构的综合测试方法
专利号：ZL202110475968.X
专利简介：本发明提供了一种SiC晶圆及其外延层结构的综合测试方法。采用激光共聚焦成像系统，不但可以通过透射正交偏光模式观察SiC的微管缺陷，以及微分干涉观察样品表面形貌，还有相比于普通光镜有更高的空间分辨率，高达120nm。同时可以通过在高度方向层切扫描，实现表面高分辨三位形貌成像，来获得表面粗糙度，及其他高度信息；还可以通过荧光观察，可辩别外延层的结晶质量和均匀性，以及获得缺陷的分布和多型结构的分布信息。从而将各种表征分析手段集成在一起，简化分析流程，提高工作效率，降低成本。
[3] 专利名称：一种生长碳化硅单晶的坩埚结构
专利号：ZL202120915874.5
专利简介：本实用新型涉及一种生长碳化硅单晶的坩埚结构，包括加热坩埚与生长坩埚，生长坩埚底部均匀设置加热石墨棒，由于是中频感应加热，磁场从外到内有衰减现象，将加热坩埚对应壁厚减少，并在碳化硅粉源中间加入加热用石墨棒，中频感应加热磁场能够有效的透过加热坩埚，使的加热石墨棒在碳化硅粉源中起到加热的作用，通过石墨棒在粉料中的加热，使得整个生长室内的气氛均匀，并在一定程度上能够加快PVT法气相传输的速率，提高碳化硅晶体生长速度。同时也提高在生长过程中气体径向与轴向运输速度，提高了SiC粉料的利用率，增加原料利用率，降低了原料成本,为企业带来效益。
[4] 专利名称：一种固定碳化硅籽晶的装置
专利号：ZL202120913417.2
专利简介：本实用新型涉及一种固定碳化硅籽晶的装置，包括坩埚本体以及与坩埚本体盖合的坩埚盖，所述坩埚本体上部设有活动连接的承载环与籽晶盖，所述承载环与籽晶盖用于固定籽晶；所述承载环与籽晶盖同心轴。本实用新型的装置减少了一道籽晶粘接预处理工艺，降低了从籽晶盖分离取出晶体的困难度，规避后续加工造成的一系列问题，减小了晶体中的缺陷密度，进而提高碳化硅晶体生长的效率、良率。
[5] 专利名称：一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置
专利号：ZL202120944141.4
专利简介：本实用新型涉及一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置，包括粉料制备模块、单晶生长模块与空气隔离模块，所述粉料制备模块与所述单晶生长模块并列设置，可将碳化硅粉料送入所述单晶生长模块。本实用新型通过有充满惰性气体的空气隔离模块，将原料、坩埚及保温材料一经放入后就不再取出，完全与外界隔离，通过减少与外界的接触次数来控制杂质元素的含量；并且通过粉料制备模块来制备高纯碳化硅粉料，再通过空气隔离模块将制备得到的高纯碳化硅粉料送入单晶生长模块，从而进行碳化硅单晶的生长。
转化方式：转让
定价方式：协议定价
转化价格：99.7万元
公示期自2021年5月21日起至2021年6月4日止。如有异议，请在公示期内向项目合作部提交异议书及有关证据。
联系方式：电话：0571-82990668
邮箱：kczyl@zju.edu.cn
项目合作部
2021年5月21日
