| 多功能高分辨XRD | 多功能高分辨X射线衍射仪：可实现对半导体材料的结构和物相鉴定，以及通过进行Rocking Curve、Omega-2Theta扫描，评价半导体材料结晶质量，分辨率≤25arcsec，同时可以测定薄膜厚度，组分和弛豫度、粗糙度等。 | 
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| 晶圆平面度测量仪 | 晶圆平面度测量仪：可在很短时间内获得有关表面的Bow, Warp, SORI, TTV, LTV, LDOF, TIR和应力等数据。 | 
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| 原子力显微镜 | 多功能原子力显微镜：能够快速获得原子级高分辨的三维立体形貌信息，以获得晶圆表面的粗糙度，粗糙度可低至0.05nm以下，同时还能得到样品表面的弹性模量，粘附力，表面功函数等。 | 
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| 电阻率测试仪 (低阻) | 电阻率测试仪：可测试导电型衬底和半绝缘型衬底，测试范围分别在10-3-102 Ohm·cm 和105 -1012 Ohm·cm，测试能力可覆盖常用的导电型衬底和半绝缘型衬底。 | 
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| 电阻率测试仪 (高阻) | 电阻率测试仪：可测试导电型衬底和半绝缘型衬底，测试范围分别在10-3-102 Ohm·cm 和105 -1012 Ohm·cm，测试能力可覆盖常用的导电型衬底和半绝缘型衬底。 | 
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| 宽光谱光电集成测试系统 | 宽光谱光电集成测试系统：用于半导体材料和器件的紫外可见到近红外光-光转换、光-电转换和电-光转换性能测试，实现材料的瞬态PL、EL寿命及其成像，亦可实现原位超级掺杂和改性等。 | 
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| 少子寿命测试仪 | 少子寿命测试仪：可测试硅、锗、碳化硅等样品的少数载流子寿命，满足单点及整片晶圆的少子寿命检测，并可用于碳化硅晶圆工艺监控及质量检测。 | 
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| 高分辨多功能光谱仪 | 高分辨多功能光谱仪：可实现快速拉曼光谱测量(0.76ms)，分析碳化硅、氮化镓等材料的多型结构和应力，同时可研究杂质、缺陷及深能级对半导体材料晶体结构的影响，以及半导体材料对线偏振光的各向异性响应等分析。 | 
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| 深能级瞬态谱测试仪 | 深能级瞬态谱测试仪：是当前监控和描述半导体材料中深能级水平的通用测试方法，能够测定深能级位置、俘获截面和浓度分布等参数。 | 
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| 傅里叶红外光谱测试仪 | 傅里叶红外光谱测试仪：用于测试碳化硅同质异质外延片, III/V族化合物外延片等材料的单层与多层外延层厚度，以及物性鉴定和杂质浓度测试。 | 
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| 白光干涉仪 | 白光干涉仪：采用光学非接触式测量方法，白光干涉的原理，比较理想的监控材料表面三维形貌及粗糙度，能够适用于从光滑到粗糙等各种材料表面。 | 
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| 半导体输运性能测试系统 | 半导体输运性能测试系统：用来量测及分析碳化硅晶圆的电阻率，载流子浓度，载流子迁移率等参数，支持多种测试样品模式，如Van Der Pauw，Bar等，接触点为4点或6点。 | 
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| 汞探针CV测试仪 | 汞探针CV测试仪：可以对不同直径大小的碳化硅同质外延片进行载流子浓度测试。在氧化层测试片上能够快速测试诸如介电常数、离子注入参数、氧化层电荷、少子寿命以及氧化层致密性等参数。 | 
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