先进半导体研究院半导体材料研究室专注于宽禁带半导体材料相关的基础研究，重点突破以碳化硅、氧化镓为代表的宽禁带半导体的生长、加工、外延及成套装备，解决一系列宽禁带半导体领域的“卡脖子”技术难题，推动宽禁带半导体材料的快速发展，提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。

研究室在中科院院士杨德仁教授指导下开展工作。目前已有成员50多人，其中研究员13人，包括中国科学院院士1人、国家高层次人才1人，国家青年人才2人，省青年人才2人，市青年人才3人。