1. 已经掌握4、6英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）单晶生长的核心工艺技术，包括SiC源粉合成技术、籽晶粘接技术、热场模拟技术和晶体加工技术，已形成SiC晶体生长相关的发明和实用新型专利8项，其中3项已经授权。
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| 技术指标: | 参数 | | 直径: | 100 / 150 mm | | 晶型: | 4H（100%） | | XRD半峰宽: | ≤ 45 arcsec | | 微管密度: | ＜0.5 cm-2 | | 电阻率: | ＞107 Ω ·cm | | TTV: | ≤ 10 μm | | WARP: | ≤ 30 μm | | 表面粗糙度Ra: | < 0.3 nm |
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2. 已经掌握了2英寸半绝缘β-Ga2O3单晶的熔体法生长技术，包括籽晶固定装置、晶体生长技术、热场模拟计算及晶体加工工艺，已申请β-Ga2O3晶体生长及缺陷相关的专利十余项，授权发明专利2项和实用新型专利1项。
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| 技术指标: | 参数 | | 衬底尺寸: | 1英寸方片 / 2英寸晶圆 | | 导电类型: | 半绝缘 | | XRD半峰宽: | ≤ 50 arcsec | | 电阻率: | ＞107 Ω ·cm | | 表面粗糙度Ra: | < 0.3 nm |
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3. 已经建立了4、6英寸的碳化硅衬底的加工能力，4、6英寸碳化硅衬底加工具备行业先进水准，已形成晶圆加工相关的发明专利1项。 |
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 | 关键参数 | 行业水平 | 科创中心 | | TTV | < 5 um | < 5 um | | BOW | < 15 um | < 10 um | | WARP | < 30 um | < 15 um | | LTV | < 5 um | < 2 um | | SCRATCH | < 3条 2 mm 以内 | < 3条 2 mm以内 | | 总缺陷密度 | < 1 cm-2 | < 0.5 cm-2 |
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4. 已经建立了激光改质碳化硅晶片的工艺评估平台，优化剥离碳化硅衬底的激光工艺，包括激光波长、聚焦功率和重复频率等参数。已形成相关发明专利6项，其中2项已授权。
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