论文目录
21. W. H. Geng, G. Yang, X. Q. Zhang, X. Zhang, Y. Z. Wang, L. H. Song, P. L. Chen, Y. Q. Zhang, X. D. Pi, * D. R. Yang, R. Wang, * Identification of subsurface damages of 4H-SiC wafers by combining photo chemical etching and molten alkali etching, Journal of Semiconductors. |
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20. Z. Jin, Y. Y. Liu, N. Xia,* X. W. Guo, Z. J. Hong, H. Zhang,* D. R. Yang, Wet etching in β-Ga2O3 bulk single crystal, CrystEngComm, 2022, 24, 1127. DOI: 10.1039/d1ce01499d. |
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19. X. S. Liu, J. R. Zhang, B. J. Xu, Y. H. Lu, Y. Q. Zhang, R. Wang,* D. R. Yang, X. D. Pi,* Deformation of 4H-SiC: the role of dopants, Applied Physics Letters, 2022, 120, 052105. DOI: 10.1063/5.0083882.
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18. Y. C. Huang, R. Wang,* Y. Q. Zhang, D. R.Yang, X. D. Pi,* Assessing the effect of H on the electronic properties of 4H-SiC, Chinese Physics B, 2022. DOI: 10.1088/1674-1056/ac4234. |
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17. Y. C. Huang, R. Wang,* Y. X. Qian, Y. Q. Zhang, D. R.Yang, X. D. Pi,* Theroretical study on the improvement of the doping efficiency of Al in 4H-SiC by co-doping group IVB elements, Chinese Physics B, 2022. DOI: 10.1088/1674-1056/ac20ca. |
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16. H. Luo, X. F. Han, Y. C. Huang, D. R. Yang, X. D. Pi,* Numerical simulation of a novel method for PVT growth of SiC by adding a graphite block, Crystals, 2021, 11(12), 1581. DOI: 10.3390/cryst11121581. | ||||
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15. K. Q. Li, Y. J. Cheng,* M. F. Dou, W. Zeng, S. Volz, S. Y. Xiong,* Tuning the anisotropic thermal transport in (110) silicon membranes with surface resonances, Nanomaterials, 2022, 12, 123. DOI: 10.3390/nano12010123. 14. S. Zhou,* S. C. Zhu, J. H. Guan, R. Wang, W. Zheng, P. Q. Gao,* X. H. Lu,* Confronting the air instability of cesium tin halide perovskites by metal ion incorporation, Journal of Physical Chemistry Letters, 2021, 12, 45, 10996-11004. DOI: 10.1021/acs.jpclett.1c03170. 13. Z. C. Hu, L. H. Song, D. H. Lin, Q. Y. He, X. J. Zhang, Y. M. Cai, L. X. Fang, S. He, W. C. Hsu, X. G. Yu,* D. R. Yang,* Carrier injection and annealing enhanced electrical performance in tunnel oxide passivated contact silicon solar cells, Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2021, 2100614. DOI: 10.1002/pssa.202100614. 12. L. H. Song,* Z. C. Hu, L. X. Fang, Y. M. Cai, S. He, H. Y. Huang, W. C. Hsu, X. G. Yu,* D. R. Yang, Performance improvement of gallium doped PERC solar cells by two-step bias application, Solar. RRL, 2021, 2100738. DOI: 10.1002/solr.202100738. | ||||
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11. Y. F. Zheng, L. Huang, B. Y. Li, R. Wang, S. H. Wei,* Origin of the improved performance of Cu(In,Ga)(S,Se)2 solar cells by postdeposition treatments: effect of band offsets, Physical Review Applied, 2021, 15, 064036. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.15.064036. 10. M. Lan, R. Wang, Z. H. Yang, X. F. Wang, S. Sun, S. H. Wei,* Enhancing magnetic dipole emission in Eu-doped SrMO3 (M=Ti,Zr,Hf): First-principles calculations, Physical Review B, 2021, 103, 245201. DOI: 10.1103/PhysRevB.103.245201. 9. P. J. Wang,* D. R. Yang, X. D. Pi,* Toward wafer-scale production of 2D transition metal chalcogenides, Advanced Electronic Materials, 2021, 2100278. DOI: 10.1002/aelm.202100278. | ||||
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8. R. Wang, M. Lan, Y. F. Zheng, J. X. Yang, B. Y. Li, S. H. Wei,* Interface engineering of Cu(In,Ga)Se2 solar cells by optimizing Cd- and Zn-chalcogenide alloys as the buffer layer, ACS Applied Materials and Interfaces, 2021, 13, 13, 15237-15245. Doi: 10.1021/acsami.1c00708. | ||||
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7. R. Wang,* J. X. Xu, S. Y. Zhang, Y. Zhang, P. H. Zheng, Z. Cheng, L. Zhang, F. X. Chen, X. D. Tong, Y. Zhang, W. Tan,* Reducing the reverse leakage current of AlGaN/GaN heterostructures via low-fluence neutron irradiation, Journal of Materials Chemistry C, 2021, 9, 3177. DOI: 10.1039/d0tc05652a. | ||||
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6. R. Wang, M. Lan, S. H. Wei,* Enhanced performance of Se-alloyed CdTe solar cells: The role of Se-segregation on the grain boundaries, Journal of Applied Physics, 2021, 129, 024501. DOI: 10.1063/5.0036701. | ||||
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5. L. Zhang, R. Wang, Z. Liu, Z. Cheng, X. D. Tong, J. X. Xu, S. Y. Zhang, Y. Zhang,* F. X. Chen, Regulation of hole concentration and mobility and first-principle analysis of Mg-doping in InGaN grown by MOCVD, Materials, 2021, 14(18), 5339. DOI: 10.3390/ma14185339. 4. 张序清, 罗昊, 李佳君, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东,* 半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究进展, 人工晶体学报, 2021. DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20211222.003. | ||||
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3. 张玺, 王蓉, 张序清, 杨德仁, 皮孝东,* 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势, 中央民族大学学报 （自然科学 版）, 2021, 30(4), 5-12. | ||||
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2. 罗昊, 张序清, 杨德仁, 皮孝东,* 碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展, 人工晶体学报, 2021, 50(8), 1562-1574. 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210707.001. | ||||
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1. 开翠红, 王蓉, 杨德仁, 皮孝东,* 基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延, 人工晶体学报, 2021, 50(9), 1780-1795. DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210820.008. | ||||
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王芸霞, 沈典宇, 杨德仁, 皮孝东,* 一种新型的真空系统冷阱结构, 真空学术会议, 2021. |
卢慧, 王昊霖, 杨德仁, 皮孝东,* 半导体碳化硅表面重构的STM研究, 真空学术会议, 2021. |
沈典宇, 李佳君, 王芸霞, 杨德仁,* 皮孝东, 真空管式高温碱腐蚀装置及其在碳化硅位错研究中的应用, 真空学术会议, 2021.
专利目录
序号 | 专利类型 | 专利名称 | 专利号 | 申请状态 |
1 | 发明专利 | 一种碳化硅晶体的生长工艺 | ZL2021105442342 | 已授权 |
2 | 发明专利 | 一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法 | ZL2021105514285 | 已授权 |
3 | 发明专利 | 一种低位错密度氧化镓体块单晶的生长方法 | 2021101367234 | 审查中 |
4 | 发明专利 | 一种IVB族原子(Ti/Zr/Hf)和铝共掺制备低阻p型4H-SiC的方法 | ZL2021103565615 | 已授权 |
5 | 发明专利 | 一种碳化硅单晶的制备方法 | 2021104741686 | 审查中 |
6 | 发明专利 | 一种SiC晶圆及其外延层结构的综合测试方法 | 202110475968X | 审查中 |
7 | 发明专利 | 一种二维材料制备方法 | 2021104836332 | 审查中 |
8 | 发明专利 | 一种二维材料制备方法 | 2021105941336 | 审查中 |
9 | 发明专利 | 一种利用铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含所述氧化镓单晶的半导体器件 | 2021106334275 | 审查中 |
10 | 发明专利 | 一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置 | 2021108595034 | 审查中 |
11 | 发明专利 | 一种有序手性分子链制备方法及SiC器件衬底 | 2021108912462 | 审查中 |
12 | 发明专利 | 低微管密度碳化硅单晶制备方法及碳化硅单晶 | 2021110196653 | 审查中 |
13 | 发明专利 | 一种高纯碳化硅制备方法及对应的高纯碳化硅 | 2021111492601 | 审查中 |
14 | 发明专利 | 高纯碳化硅源粉制备方法 | 2021110676218 | 审查中 |
15 | 发明专利 | 一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构 | 2021111031728 | 快速预审 |
16 | 发明专利 | 氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 | 2021110694875 | 审查中 |
17 | 发明专利 | 一种垂直电流孔径晶体管制备方法及对应器件 | ZL2021110849700 | 已授权 |
18 | 发明专利 | 一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法 | 2021112337124 | 审查中 |
19 | 发明专利 | 一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离法及剥离装置 | ZL2021113449714 | 已授权 |
20 | 发明专利 | 碳化硅晶圆体寿命图像生成方法，系统及存储介质 | 2021113473978 | 审查中 |
21 | 发明专利 | 碳化硅晶圆表面复合速率图像生成方法，系统及存储介质 | 2021113454657 | 快速预审 |
22 | 发明专利 | 一种基于光刻蚀的n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置 | 2021114908430 | 快速预审 |
23 | 发明专利 | 一种制备p型4H-SiC单晶的坩埚结构，装置与方法 | ZL2021114531400 | 已授权 |
24 | 发明专利 | 一种提拉法生长氧化镓晶体的双腔结构 | 2021113062059 | 审查中 |
25 | 发明专利 | 一种氧化镓晶片表面处理方法 | 2021113942947 | 审查中 |
26 | 发明专利 | 一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法 | 2021113564731 | 审查中 |
27 | 发明专利 | 一种碳化硅籽晶粘接方法 | 2021113715939 | 审查中 |
28 | 发明专利 | 一种优化碳化硅自净表面初期成核的方法 | 202111385909X | 审查中 |
29 | 发明专利 | 一种碳化硅腐蚀设备 | 2021114208081 | 审查中 |
30 | 发明专利 | 一种碳化硅研磨设备 | 2021114207750 | 审查中 |
31 | 发明专利 | 一种GaN基器件隔离的方法 | 2021113763129 | 审查中 |
32 | 发明专利 | 一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置 | 2021116544335 | 审查中 |
33 | 发明专利 | 一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置 | 2021115358029 | 审查中 |
34 | 发明专利 | 碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法，系统及存储介质 | 2021115277125 | 审查中 |
35 | 发明专利 | 碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法，系统及存储介质 | 2021115288810 | 审查中 |
36 | 发明专利 | 一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置 | ZL2021114900833 | 已授权 |
37 | 发明专利 | 碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法 | 2021115011140 | 审查中 |
38 | 发明专利 | 一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法 | 202111643917X | 审查中 |
39 | 发明专利 | 低缺陷碳化硅外延材料制备方法 | 2021116547070 | 审查中 |
40 | 发明专利 | 一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备 | 2022100133737 | 审查中 |
41 | 发明专利 | 一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法 | 2022100518405 | 审查中 |
42 | 发明专利 | 一种制备氧化镓料棒的装置及方法 | ZL2022100470590 | 已授权 |
43 | 发明专利 | 氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 | ZL2022100428697 | 已授权 |
44 | 发明专利 | 一种导电型碳化硅衬底加工方法 | 2022100440646 | 审查中 |
45 | 发明专利 | 一种半导体材料退火装置及退火方法 | 2022100440627 | 审查中 |
46 | 发明专利 | 芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置 | ZL2022101159452 | 已授权 |
47 | 发明专利 | 一种纳米级图案化氧化镓衬底的制备方法 | 2022101159541 | 审查中 |
48 | 发明专利 | 与扫描探针显微镜联合系统的快速定位方法、系统 | 202210156964X | 审查中 |
49 | 发明专利 | 一种适用于半导体缺陷定位的扫描探针显微镜 | 2022101543048 | 审查中 |
50 | 发明专利 | 一种碳化硅晶片腐蚀化系统 | 2022102005254 | 审查中 |
51 | 发明专利 | 一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法 | 2022102145531 | 已授权 |
52 | 发明专利 | 一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片的方法 | 2022102385963 | 审查中 |
53 | 发明专利 | 一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉 | 202210257835X | 审查中 |
54 | 发明专利 | 一种保持碳化硅单晶生长温度的方法 | 202210245207X | 审查中 |
55 | 发明专利 | 一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置 | ZL2022102447885 | 已授权 |
56 | 发明专利 | 一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置 | 2022103383791 | 审查中 |
57 | 发明专利 | 一种纳米柱阵列的制备方法 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
58 | 发明专利 | 一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
59 | 发明专利 | Ge掺杂抑制4HsiCk器件双极性退化的方法 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
60 | 发明专利 | 一种检测缺陷演变的方法及装置 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
61 | 发明专利 | 一种掺杂缓解SiC单晶面型参数的方法 | 2022105512725 | 审查中 |
62 | 发明专利 | 一种生长高质量碳化硅晶体的装置及方法 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
63 | 发明专利 | 基于提拉法的双温区单晶生长装置及方法 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
64 | 发明专利 | 一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
序号 | 专利类型 | 专利名称 | 专利号 | 申请状态 |
1 | 实用新型 | 一种单晶生长真空系统的冷阱装置 | ZL2021210696306 | 已授权 |
2 | 实用新型 | 一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置 | ZL2021209441414 | 已授权 |
3 | 实用新型 | 一种固定碳化硅籽晶的装置 | ZL2021209134172 | 已授权 |
4 | 实用新型 | 一种生长碳化硅单晶的坩埚结构 | ZL2021209158745 | 已授权 |
5 | 实用新型 | 一种二维材料制备装置 | ZL2021209308687 | 已授权 |
6 | 实用新型 | 一种二维材料制备装置 | ZL2021211765182 | 已授权 |
7 | 实用新型 | 一种碳化硅腐蚀设备 | ZL2021217177220 | 已授权 |
8 | 实用新型 | 一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置 | ZL2021217328714 | 已授权 |
9 | 实用新型 | 一种PVT法生长碳化硅单晶改善气氛流向的装置 | ZL2021223616691 | 已授权 |
10 | 实用新型 | 一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置 | ZL2021222311291 | 已授权 |
11 | 实用新型 | 一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置 | ZL2021222312171 | 已授权 |
12 | 实用新型 | 一种密封性高的石英管密封结构及石英管 | ZL2021222321039 | 已授权 |
13 | 实用新型 | 一种碳化硅籽晶的固定结构 | ZL2021222976261 | 已授权 |
14 | 实用新型 | 一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置 | ZL2021223515262 | 已授权 |
15 | 实用新型 | 一种改善粉源温场的坩埚结构 | ZL2021233752175 | 已授权 |
16 | 实用新型 | 一种半导体材料退火装置 | ZL2022200977609 | 已授权 |
17 | 实用新型 | 一种碳化硅衬底加工装置 | ZL2022200977562 | 已授权 |
18 | 实用新型 | 一种碳化硅腐蚀设备 | 2022201543984 | 审查中 |
19 | 实用新型 | 一种二维材料生长设备 | 2022206777004 | 审查中 |
20 | 实用新型 | 多片半导体晶片的腐蚀装置 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
21 | 实用新型 | 一种提高碳化硅晶片少子寿命的退火及光注入装置 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
22 | 实用新型 | 一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命的装置 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
23 | 实用新型 | 一种半导体单晶衬底腐蚀装置 | 待知识产权局确定 | 审查中 |
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