材料表征区

发布者:高月发布时间:2023-03-28浏览次数:54

半导体碳化硅材料生长、加工设备


半导体碳化硅材料检测分析设备
仪器名称主要功能仪器图片
多功能高分辨XRD多功能高分辨X射线衍射仪:可实现对半导体材料的结构和物相鉴定,以及通过进行Rocking Curve、Omega-2Theta扫描,评价半导体材料结晶质量,分辨率≤25arcsec,同时可以测定薄膜厚度,组分和弛豫度、粗糙度等。

晶圆平面度测量仪晶圆平面度测量仪:可在很短时间内获得有关表面的Bow, Warp, SORI, TTV, LTV, LDOF, TIR和应力等数据。

原子力显微镜多功能原子力显微镜:能够快速获得原子级高分辨的三维立体形貌信息,以获得晶圆表面的粗糙度,粗糙度可低至0.05nm以下,同时还能得到样品表面的弹性模量,粘附力,表面功函数等。

电阻率测试仪 (低阻)电阻率测试仪:可测试导电型衬底和半绝缘型衬底,测试范围分别在10-3-102 Ohm·cm 和105 -1012 Ohm·cm,测试能力可覆盖常用的导电型衬底和半绝缘型衬底。

电阻率测试仪 (高阻)电阻率测试仪:可测试导电型衬底和半绝缘型衬底,测试范围分别在10-3-102 Ohm·cm 和105 -1012 Ohm·cm,测试能力可覆盖常用的导电型衬底和半绝缘型衬底。

宽光谱光电集成测试系统宽光谱光电集成测试系统:用于半导体材料和器件的紫外可见到近红外光-光转换、光-电转换和电-光转换性能测试,实现材料的瞬态PL、EL寿命及其成像,亦可实现原位超级掺杂和改性等。

少子寿命测试仪少子寿命测试仪:可测试硅、锗、碳化硅等样品的少数载流子寿命,满足单点及整片晶圆的少子寿命检测,并可用于碳化硅晶圆工艺监控及质量检测。

高分辨多功能光谱仪高分辨多功能光谱仪:可实现快速拉曼光谱测量(0.76ms),分析碳化硅、氮化镓等材料的多型结构和应力,同时可研究杂质、缺陷及深能级对半导体材料晶体结构的影响,以及半导体材料对线偏振光的各向异性响应等分析。

深能级瞬态谱测试仪深能级瞬态谱测试仪:是当前监控和描述半导体材料中深能级水平的通用测试方法,能够测定深能级位置、俘获截面和浓度分布等参数。

傅里叶红外光谱测试仪傅里叶红外光谱测试仪:用于测试碳化硅同质异质外延片, III/V族化合物外延片等材料的单层与多层外延层厚度,以及物性鉴定和杂质浓度测试。

白光干涉仪 白光干涉仪:采用光学非接触式测量方法,白光干涉的原理,比较理想的监控材料表面三维形貌及粗糙度,能够适用于从光滑到粗糙等各种材料表面。

半导体输运性能测试系统半导体输运性能测试系统:用来量测及分析碳化硅晶圆的电阻率,载流子浓度,载流子迁移率等参数,支持多种测试样品模式,如Van Der Pauw,Bar等,接触点为4点或6点。

汞探针CV测试仪汞探针CV测试仪:可以对不同直径大小的碳化硅同质外延片进行载流子浓度测试。在氧化层测试片上能够快速测试诸如介电常数、离子注入参数、氧化层电荷、少子寿命以及氧化层致密性等参数。